| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·InGaAs/GaAS材料体系发展 | 第7-8页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第8-9页 |
| 第二章 生长设备及测试仪器 | 第9-18页 |
| ·V80H型分子束外延生长设备 | 第9-16页 |
| ·V80H MBE设备上的测量装置 | 第16-17页 |
| ·其他的分析设备 | 第17-18页 |
| 第三章 InGaAs/GaAs应变量子阱材料的生长模式和能带理论 | 第18-24页 |
| ·InGaAs/GaAs应变量子阱结构的特性 | 第18-20页 |
| ·应变量子阱的能带理论 | 第20-22页 |
| ·应变外延层的生长模式 | 第22-24页 |
| 第四章 1.2μm高应变 In GaAs/GaAs量子阱材料的制备 | 第24-41页 |
| ·InGaAs/GaAs量子阱的生长方案 | 第24-25页 |
| ·临界厚度对材料特性的影响 | 第25-27页 |
| ·生长参数的优化 | 第27-34页 |
| ·高应变量子阱材料的制备 | 第34-41页 |
| 第五章 实验结果及测试分析 | 第41-45页 |
| ·X-Ray测量 | 第41-43页 |
| ·光致荧光谱 | 第43-44页 |
| ·电化学 C-V测试 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |