| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| §1.1 TiN薄膜的特性和生长机制 | 第10-13页 |
| §1.2 TiN薄膜材料的制备方法 | 第13-20页 |
| §1.3 本文研究的目的、意义和基本内容 | 第20-22页 |
| 第二章 IBED工艺 | 第22-32页 |
| §2.1 离子束辅助沉积技术 | 第22-24页 |
| §2.2 IBED工艺 | 第24-26页 |
| §2.3 IBED膜 | 第26-27页 |
| §2.4 IBED过程的影响因素 | 第27-28页 |
| §2.5 IBED膜应用 | 第28-30页 |
| §2.6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 离子源辅助电子束高真空蒸发沉积原理与装置 | 第32-38页 |
| §3.1 实验装置 | 第32-34页 |
| §3.2 沉积原理 | 第34-35页 |
| §3.3 工艺特点 | 第35页 |
| §3.4 离子辅助电子束蒸发沉积TiN薄膜过程中Ar、N等离子体的状态 | 第35-37页 |
| §3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 反应室等离子体分布特性 | 第38-48页 |
| §4.1 静电探针法和发射光谱法 | 第39-42页 |
| §4.2 反应室等离子体分布特性 | 第42-47页 |
| §4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 TiN薄膜性能测试、分析与表征 | 第48-61页 |
| §5.1 TiN薄膜的FTIR分析 | 第48-52页 |
| §5.2 TiN薄膜的XRD分析 | 第52-55页 |
| §5.3 TiN薄膜的AFM分析 | 第55-58页 |
| §5.4 TiN薄膜的XP-1分析 | 第58-60页 |
| §5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| §第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录:发表及待发表论文、专利 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |