应变锗材料的制备及其表征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-18页 |
| ·高迁移率材料的研究意义 | 第9-11页 |
| ·Ge 材料的优势和 Ge 器件的应用前景 | 第11-12页 |
| ·Ge 外延材料的制备技术 | 第12-16页 |
| ·组分渐变缓冲层技术 | 第13-14页 |
| ·低温缓冲层技术 | 第14-15页 |
| ·图形外延技术 | 第15页 |
| ·表面金属化技术 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第2章 实验设备及材料表征方法 | 第18-29页 |
| ·材料制备设备介绍 | 第18-22页 |
| ·RPCVD 设备 | 第19页 |
| ·UHV/CVD 外延设备 | 第19-22页 |
| ·材料表征方法介绍 | 第22-27页 |
| ·X 射线双晶衍射（DCXRD） | 第22-24页 |
| ·拉曼光谱分析（RAMAN） | 第24-26页 |
| ·二次离子质谱（SIMS） | 第26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第27页 |
| ·Schimmel 腐蚀液 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 SiGe 虚拟衬底的制备 | 第29-51页 |
| ·UHV/CVD 外延性质研究 | 第29-34页 |
| ·应变SiGe 层临界厚度 | 第29-31页 |
| ·SiGe/Si 薄膜的外延机理分析 | 第31-32页 |
| ·外延SiGe 薄膜组分与气体流量的关系 | 第32-33页 |
| ·SiGe/Si 异质材料体系的生长模式 | 第33-34页 |
| ·SiGe 氧化性质的研究 | 第34-45页 |
| ·SiGe 氧化原理 | 第34-35页 |
| ·干氧氧化原理 | 第35-36页 |
| ·Ge 原子的扩散率 | 第36-37页 |
| ·体Si 上SiGe 薄膜的氧化实验 | 第37-45页 |
| ·离子注入实现锗硅弛豫 | 第45-50页 |
| ·离子注入实现锗硅弛豫的原理研究 | 第45-46页 |
| ·Ar 离子注入实现锗硅弛豫回顾 | 第46-48页 |
| ·Ar 离子注入实验 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 纯 Ge 层的制备 | 第51-65页 |
| ·温度对Ge 薄膜外延的影响 | 第51-54页 |
| ·应变Ge 薄膜外延研究 | 第54-59页 |
| ·应变Ge 薄膜的形貌表征 | 第55-56页 |
| ·应变Ge 薄膜表面的糙度 | 第56-57页 |
| ·应变Ge 薄膜内的应变与厚度的关系 | 第57-58页 |
| ·应变Ge 薄膜生长速率与温度的关系 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59页 |
| ·应变Ge 上的应变Si 帽层薄膜的外延研究 | 第59-64页 |
| ·应变Si 外延薄膜的表征 | 第60-61页 |
| ·应变Si 薄膜的表面粗糙度 | 第61-62页 |
| ·应变Si 帽层的应变与厚度关系 | 第62-63页 |
| ·应变Si 薄膜的生长速率与温度的关系 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 应变 Ge 沟道器件制备的准备工作 | 第65-71页 |
| ·应变Ge 器件面临的热开销问题研究 | 第65-68页 |
| ·器件制造过程中的热开销来源 | 第65-66页 |
| ·温度对应变Ge 薄膜应变弛豫度的影响 | 第66-68页 |
| ·应变Ge 材料的优化 | 第68-69页 |
| ·栅介质的选择 | 第69-70页 |
| ·应变Ge 表面沟道(SC)器件 | 第69页 |
| ·应变Ge 埋层沟道(BC)器件 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第6章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第79页 |
