首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究

 摘要第1-3页
Abstract第3-7页
第一章 绪论第7-19页
   ·引言第7页
   ·ZnO 半导体研究进展第7-13页
     ·ZnO 薄膜研究进展第8-11页
     ·纳米ZnO 及阵列研究进展第11-13页
   ·目前存在的问题第13-14页
   ·本论文研究的意义和目的第14-16页
 参考文献第16-19页
第二章 取向纳米 ZnO 阵列的制备工艺与分析方法第19-23页
   ·引言第19页
   ·实验第19-20页
     ·基片的清洗第19-20页
     ·催化剂的制备第20页
   ·生长机理解释第20-21页
   ·实验方案第21页
   ·测试仪器第21-22页
     ·X-射线衍射测定(XRD)第21页
     ·形貌表征第21页
     ·比表面积测定第21页
     ·PL 光谱分析第21-22页
 参考文献第22-23页
第三章 取向 ZnO 阵列的生长机理及发光特性第23-30页
   ·引言第23页
   ·ZnO 光致发光机理第23页
   ·取向 ZnO 阵列的制备第23-24页
   ·生长机理第24-26页
   ·光致发光特性第26-27页
   ·结论第27-29页
 参考文献第29-30页
第四章 取向 ZnO 纳米钉的制备及生长机理及电学特性第30-38页
   ·引言第30页
   ·ZnO 纳米的电学特性第30页
   ·ZnO 纳米钉的制备第30-31页
   ·生长机理第31-33页
   ·电学特性第33-35页
   ·结论第35-37页
 参考文献第37-38页
第五章 ZnO 纳米管的合成及其比表面积研究第38-45页
   ·引言第38页
   ·比表面积第38页
   ·ZnO 纳米管的制备第38-39页
   ·ZnO 纳米管的生长机理第39-41页
   ·比表面积原理及其测试方法第41-42页
   ·测试结果第42-43页
   ·结论第43-44页
 参考文献第44-45页
第六章 总结第45-47页
致谢第47-48页
附录第48-49页

论文共49页,点击 下载论文
上一篇:中国私营企业参保激励机制研究
下一篇:宁夏电信本地网资源管理系统研究