| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-28页 |
| ·问题的提出和选题的意义 | 第10-12页 |
| ·β-FeSi_2 的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·β-FeSi_2 的应用前景 | 第13-14页 |
| ·β-FeSi_2 的制备方法 | 第14-16页 |
| ·β-FeSi_2 半导体薄膜的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| ·通用脉冲激光沉积技术简介 | 第20-26页 |
| ·本文的研究内容, 方法与创新 | 第26-28页 |
| 2 脉冲激光沉积薄膜机理分析 | 第28-45页 |
| ·激光和靶材的相互作用 | 第28-31页 |
| ·等离子体的空间输运 | 第31-32页 |
| ·PLD 沉积薄膜的生长机制 | 第32-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 3 脉冲激光沉积β-FeSi_2 薄膜的工艺条件研究 | 第45-77页 |
| ·FeSi_2 合金靶材的制备 | 第45-50页 |
| ·准分子激光沉积β-FeSi_2 薄膜 | 第50-53页 |
| ·fsPLD 制备硅基β-FeSi_2 薄膜 | 第53-65页 |
| ·采用fsPLD 法在Fe 衬底上生长β-FeSi_2 薄膜 | 第65-68页 |
| ·采用fsPLD 法在石英衬底上生长β-FeSi_2 薄膜 | 第68-69页 |
| ·采用fsPLD 法快速退火生长β-FeSi_2 薄膜 | 第69-71页 |
| ·采用fsPLD 法固相反应法生长β-FeSi_2 薄膜 | 第71-74页 |
| ·小结 | 第74-77页 |
| 4 β-FeSi_2 薄膜的光学性质 | 第77-93页 |
| ·nsPLD 制备的β-FeSi_2 薄膜的光学性质 | 第77-78页 |
| ·fsPLD 制备的β-FeSi_2 薄膜的光学特征 | 第78-83页 |
| ·β-FeSi_2 薄膜的拉曼散射研究 | 第83-88页 |
| ·β-FeSi_2 薄膜的光致发光 | 第88-92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| 5 β-FeSi_2 薄膜的电学性质 | 第93-108页 |
| ·β-FeSi_2 薄膜的霍耳效应测试 | 第93-103页 |
| ·β-FeSi_2 薄膜光伏效应 | 第103-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| 6 飞秒脉冲激光沉积法制备的Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜 | 第108-118页 |
| ·Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜的XRD 分析 | 第109-110页 |
| ·薄膜的表面SEM 形貌 | 第110-112页 |
| ·Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜的性质 | 第112-116页 |
| ·小结 | 第116-118页 |
| 7 结论 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第134-135页 |
| 附录2 攻读学位期间其它科研活动 | 第135页 |
