| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究的背景及意义 | 第10-14页 |
| ·论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第二章 MOCVD生长技术及相关检测手段 | 第17-30页 |
| ·外延技术及MOCVD | 第17-23页 |
| ·晶体生长质量的测试手段 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 横向外延的生长动力学研究 | 第30-56页 |
| ·基于MOCVD的横向外延技术 | 第30-32页 |
| ·生长速率模型 | 第32-43页 |
| ·晶体形貌演进模型 | 第43-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 GaAs/Si大失配异质外延的实验研究 | 第56-64页 |
| ·基于低温缓冲层的GaAs/Si异质外延的实验研究 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 附录 晶体表面演进方程的归一化 | 第64-67页 |
| 附录.1 | 第64-65页 |
| 附录.2 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69页 |