PECVD法制备纳米硅薄膜及其研究
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-27页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·纳米技术的概念 | 第8页 |
| ·纳米材料的定义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究动态综述 | 第9-18页 |
| ·国外研究情况 | 第11-14页 |
| ·我国在此方面取得的成果 | 第14-18页 |
| ·纳米硅薄膜与PECVD法综述 | 第18-23页 |
| ·纳米硅薄膜(nc-Si:H) | 第18-19页 |
| ·纳米硅薄膜的优点 | 第19-20页 |
| ·纳米硅薄膜的应用 | 第20-21页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第21-23页 |
| ·表征分析过程 | 第23-26页 |
| ·表面状况分析 | 第23页 |
| ·X射线衍射 | 第23-24页 |
| ·Raman(喇曼)光谱 | 第24-25页 |
| ·红外光谱观测 | 第25-26页 |
| ·本论文选题意义和主要工作 | 第26页 |
| 本章小结 | 第26-27页 |
| 第2章 纳米硅薄膜的制备和沉积机理分析 | 第27-41页 |
| ·概述 | 第27-28页 |
| ·PECVD设备及其工作原理 | 第28-33页 |
| ·PECVD实验装置 | 第28-29页 |
| ·PECVD系统各部分工作原理 | 第29-31页 |
| ·等离子辉光放电的基本原理 | 第31-32页 |
| ·PECVD基本原理 | 第32-33页 |
| ·PECVD淀积动力学过程 | 第32-33页 |
| ·影响PECVD淀积的因素 | 第33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·硅片选取 | 第33页 |
| ·气体选取 | 第33页 |
| ·薄膜沉积 | 第33-34页 |
| ·沉积条件 | 第33-34页 |
| ·沉积机理分析 | 第34页 |
| ·薄膜的形成机理分析 | 第34-36页 |
| ·薄膜的生长方式 | 第35-36页 |
| ·成核阶段 | 第35页 |
| ·小岛阶段 | 第35-36页 |
| ·网络阶段 | 第36页 |
| ·形成连续薄膜 | 第36页 |
| ·退火处理 | 第36页 |
| ·沉积条件对薄膜生长的影响 | 第36-40页 |
| ·衬底温度的影响 | 第36-37页 |
| ·退火温度的影响 | 第37-40页 |
| ·射频功率的影响 | 第40页 |
| 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 纳米硅薄膜的表征 | 第41-51页 |
| ·表面形貌分析 | 第41-42页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第41-42页 |
| ·结构分析 | 第42-48页 |
| ·Raman谱表征 | 第42-45页 |
| ·Raman光谱原理 | 第42-43页 |
| ·数据观测 | 第43-45页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第45-48页 |
| ·X射线衍射原理 | 第45-46页 |
| ·数据观测 | 第46-48页 |
| ·另外几种常见的结构分析方法 | 第48-50页 |
| ·红外光谱分析(FT-IR) | 第48-49页 |
| ·紫外--可见光谱(cuv—vis)分析 | 第49-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 纳米硅薄膜的特性研究和应用 | 第51-60页 |
| ·纳米硅薄膜的电学特性 | 第51-55页 |
| ·量子输运特性 | 第51-53页 |
| ·量子输运特性的应用 | 第53页 |
| ·纳米硅薄膜的电阻的测量 | 第53-55页 |
| ·刻蚀电阻条测量电阻 | 第53-54页 |
| ·测量数据 | 第54-55页 |
| ·光致发光特性 | 第55-57页 |
| ·光致发光机理 | 第55-56页 |
| ·纳米硅薄膜光致发光的应用 | 第56-57页 |
| ·压阻效应 | 第57-59页 |
| ·压阻效应的测量原理 | 第57-59页 |
| ·压阻效应的应用 | 第59页 |
| 本章小结 | 第59-60页 |
| 实验结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第66-67页 |
