SiC薄膜的制备以及光电发射性质
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-22页 |
| ·栅控脉冲行波管概况 | 第9-12页 |
| ·栅控行波管结构与工作原理 | 第9-10页 |
| ·行波管的栅极电子发射现象 | 第10-11页 |
| ·行波管的应用 | 第11页 |
| ·SiC 膜及其它抑制栅发射机理研究概况 | 第11-12页 |
| ·SiC 材料的结构与特性 | 第12-15页 |
| ·SiC 的结构性质 | 第12-13页 |
| ·SiC 的材料机械性质 | 第13-14页 |
| ·SiC 材料的电学性质 | 第14-15页 |
| ·SiC 的材料制备 | 第15-19页 |
| ·SiC 材料的体单晶制备方法 | 第15-17页 |
| ·Lely 制备方法 | 第15-16页 |
| ·改良的Lely 制备方法 | 第16-17页 |
| ·PVT法生长SiC单晶 | 第17页 |
| ·SiC 薄膜制备方法 | 第17-19页 |
| ·液相外延(LPE)制备SiC | 第17页 |
| ·化学汽相淀积(CVD) 制备SiC | 第17-18页 |
| ·分子束外延(MBE) 制备SiC | 第18-19页 |
| ·本论文工作的意义及主要研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜的制备 | 第22-31页 |
| ·SiC 薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
| ·双离子束沉积薄膜的优点 | 第24-27页 |
| ·Kaufman 源的特色和优点 | 第24页 |
| ·热峰效应 | 第24-25页 |
| ·薄膜内应力的影响 | 第25-26页 |
| ·双离子束溅射薄膜结合力 | 第26页 |
| ·双离子束溅射对薄膜表面的影响 | 第26-27页 |
| ·SiC 薄膜的实验室制备 | 第27-30页 |
| ·薄膜制备的系统介绍 | 第27-28页 |
| ·薄膜制备的条件和步骤 | 第28页 |
| ·BaO 涂层的制备 | 第28-29页 |
| ·样品的高温退火处理 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 薄膜的表征 | 第31-36页 |
| ·膜厚的测量 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射分析 | 第32-33页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第33页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析 | 第33页 |
| ·荧光光谱分析 | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 SiC 薄膜光发射性质 | 第36-46页 |
| ·薄膜样品制备 | 第36-37页 |
| ·衬底的处理 | 第36页 |
| ·样品的制备 | 第36-37页 |
| ·制备参数对于薄膜样品的影响 | 第37-44页 |
| ·不同沉积气压的对于薄膜制备的影响 | 第37页 |
| ·不同的沉积功率,不同退火温度对于薄膜制备的影响 | 第37-44页 |
| ·不同沉积功率下的SEM图谱分析 | 第38-40页 |
| ·不同沉积功率下的XRD图谱分析 | 第40-41页 |
| ·不同沉积功率下的FTIR图谱分析 | 第41-42页 |
| ·不同沉积功率下的PL图谱分析 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第五章 SiC 薄膜抑制栅发射机理研究 | 第46-53页 |
| ·SiC薄膜抑制栅发射机理研究 | 第46-50页 |
| ·不同的退火温度下SiC Raman光谱 | 第46-47页 |
| ·不同的退火温度对于SiC 结构的影响 | 第47-48页 |
| ·行波管中栅网表面可能的化学反应 | 第48-50页 |
| ·SiC 膜抑制栅发射机理 | 第50-51页 |
| ·SiC 为高功函数物质 | 第50-51页 |
| ·低功函数BaO 物质的减小 | 第51页 |
| ·栅网表面的高功函数涂层 | 第51页 |
| ·本章总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第六章 薄膜抑制栅发射机理分析比较 | 第53-59页 |
| ·C膜抑制栅电子发射机理的讨论 | 第53-54页 |
| ·Hf膜抑制栅电子发射机理的讨论 | 第54-56页 |
| ·SiC膜抑制栅电子发射机理的讨论 | 第56-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第七章 结 论 | 第59-61页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
