ZnO荧光薄膜的制备与硫化研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·荧光材料的要求及存在的问题 | 第7-9页 |
| ·荧光层表面形貌的要求及现存的问题 | 第9-11页 |
| 第二章 理论基础 | 第11-30页 |
| ·ZnO的性质及应用 | 第11-14页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO中的缺陷 | 第12-14页 |
| ·ZnO荧光薄膜的发光机理 | 第14-23页 |
| ·光电显示材料的分类 | 第14-15页 |
| ·材料发光的基本原理 | 第15-18页 |
| ·阴极射线激发材料发光的过程 | 第18-19页 |
| ·ZnO的发光机制研究 | 第19-23页 |
| ·ZnO薄膜的常用制备方法 | 第23-26页 |
| ·分子束外延 | 第23-24页 |
| ·金属有机化学气相淀积(MOCVD) | 第24页 |
| ·电子束蒸发 | 第24-25页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第25-26页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第26-29页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备 | 第30-34页 |
| ·脉冲激光沉积方法及原理 | 第30-32页 |
| ·实验样品制备工艺 | 第32-34页 |
| 第四章 ZnO薄膜的PLD生长 | 第34-47页 |
| ·纳米ZnO荧光薄膜的结构特性 | 第34-42页 |
| ·X射线衍射(XRD)原理 | 第34-35页 |
| ·激光脉冲能量对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第35-37页 |
| ·靶材与衬底间距对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第37-40页 |
| ·氧气压强对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第40-42页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌 | 第42-47页 |
| ·激光脉冲能量对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·靶材与衬底间距对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| ·氧气压强对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| 第五章 ZnO荧光薄膜的硫化研究 | 第47-57页 |
| ·ZnO荧光薄膜的硫化实验 | 第47-48页 |
| ·硫化后ZnO荧光薄膜的结构特性 | 第48-50页 |
| ·硫化时间对ZnO荧光薄膜结构特性的影响 | 第48页 |
| ·硫化温度硫化时间对ZnO荧光薄膜结构特性的影响 | 第48-50页 |
| ·硫化后薄膜的能谱分析 | 第50页 |
| ·硫化后ZnO荧光薄膜的表面形貌 | 第50-54页 |
| ·不同硫化时间时硫化薄膜的表面形貌 | 第50-54页 |
| ·不同硫化温度时硫化薄膜的表面形貌 | 第54页 |
| ·硫化ZnO荧光薄膜的光致发光特性 | 第54-57页 |
| ·硫化时间对荧光薄膜发光性能的影响 | 第54-55页 |
| ·硫化温度对荧光薄膜发光性能的影响 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64页 |
