环境半导体材料Ca2Si的制备及其光电特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-19页 |
| ·什么是环境友好材料 | 第9-11页 |
| ·材料可持续发展的产物──环境友好材料 | 第9-10页 |
| ·材料中主要元素的环境和资源特征 | 第10-11页 |
| ·Ca_2Si 材料的研究现状 | 第11-16页 |
| ·Ca_2Si 材料的应用前景及存在的问题 | 第16-17页 |
| ·本人所做的工作 | 第17-18页 |
| ·论文的结构安排 | 第18-19页 |
| 第二章 Ca_2Si 材料的制备方法与表征手段 | 第19-35页 |
| ·Ca_2Si 材料的制备技术 | 第19-24页 |
| ·化学计量熔融法 | 第19页 |
| ·蒸发加热处理两步法 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射方法 | 第20-23页 |
| ·高真空退火设备简介 | 第23-24页 |
| ·Ca_2Si 材料的性能表征手段 | 第24-34页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第24-26页 |
| ·扫描电镜 | 第26-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-30页 |
| ·椭圆偏振光谱仪 | 第30-33页 |
| ·四探针测试仪 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第三章 退火温度对 Ca_2Si 薄膜生长的影响 | 第35-47页 |
| ·Ca_2Si 薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·靶材与基片的清洗 | 第35-37页 |
| ·样品的制备过程 | 第37-38页 |
| ·X 射线衍射仪测试与分析 | 第38-41页 |
| ·扫描电镜测试与分析 | 第41-42页 |
| ·椭圆偏振光谱仪测试与分析 | 第42-44页 |
| ·原子力显微镜测试与分析 | 第44-45页 |
| ·四探针测试与分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 退火时间对 Ca_2Si 薄膜生长的影响 | 第47-58页 |
| ·Ca_2Si 薄膜的制备 | 第47页 |
| ·X 射线衍射仪测试与分析 | 第47-51页 |
| ·扫描电镜测试与分析 | 第51-52页 |
| ·原子力显微镜测试与分析 | 第52-53页 |
| ·椭偏仪测试与分析 | 第53-56页 |
| ·四探针测试与分析 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 Ca_2Si 能带结构以及光学性质的计算 | 第58-66页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·CASTEP计算软件 | 第58-59页 |
| ·Ca_2Si 电子结构以及光学性质的计算 | 第59-65页 |
| ·理论模型 | 第59页 |
| ·计算结果和分析 | 第59-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 主要参考文献 | 第69-73页 |
| 附录:发表文章以及所参与的课题研究 | 第73-74页 |
