(Bi，Nd)4（Ti，V）3O12铁电薄膜的制备及薄膜印记失效分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·铁电体及铁电薄膜概述 | 第10-15页 |
| ·铁电材料的发展历史 | 第10-13页 |
| ·铁电薄膜的性质和应用 | 第13-14页 |
| ·铁电薄膜的表征 | 第14-15页 |
| ·钙钛矿型铁电薄膜的晶体结构 | 第15-17页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·课题选题依据及主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 BNTV铁电薄膜的CSD法制备与测试 | 第22-34页 |
| ·CSD制备方法的基本原理 | 第22-24页 |
| ·Sol-Gel、MOD和CSD法的区别 | 第22-23页 |
| ·CSD法的基本原理 | 第23-24页 |
| ·CSD法制膜所需设备 | 第24-25页 |
| ·实验材料 | 第25-27页 |
| ·基片的选取和处理 | 第25-26页 |
| ·配液所需化学药品 | 第26-27页 |
| ·BNTV 铁电薄膜制备的工艺过程 | 第27-30页 |
| ·前驱体溶液的配置 | 第27-29页 |
| ·薄膜制备的工艺流程 | 第29-30页 |
| ·BNTV铁电薄膜的分析测试方法 | 第30-34页 |
| ·微结构分析方法 | 第30-31页 |
| ·电学性能分析测试方法 | 第31-34页 |
| 第三章 BNTV铁电薄膜的特性分析 | 第34-47页 |
| ·退火温度对BNTV铁电薄膜的影响 | 第34-40页 |
| ·退火技术 | 第34-35页 |
| ·XRD分析退火温度的影响 | 第35-37页 |
| ·SEM分析薄膜微结构 | 第37-38页 |
| ·铁电性的测试与结果分析 | 第38-39页 |
| ·小结及存在的问题 | 第39-40页 |
| ·V掺杂含量对BNTV薄膜性能的影响 | 第40-47页 |
| ·XRD分析 | 第40-41页 |
| ·电滞回线测试与分析 | 第41-42页 |
| ·I-V特性分析 | 第42-43页 |
| ·C-V特性分析 | 第43-44页 |
| ·疲劳特性测试 | 第44-45页 |
| ·极化－频率特性 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 铁电薄膜电滞回线和蝴蝶回线的模拟 | 第47-61页 |
| ·经典的 Preisach 模型 | 第47-51页 |
| ·分布函数积分法对 Preisach 模型的改进 | 第51-56页 |
| ·改进 Preisach 模型的应用 | 第56-60页 |
| ·仿真非饱和电滞回线 | 第56-57页 |
| ·仿真蝴蝶回线 | 第57-59页 |
| ·仿真电滞回线与实验的比较 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第五章 铁电薄膜印记失效分析 | 第61-72页 |
| ·引言 | 第61-63页 |
| ·双界面层模型的建立 | 第63-65页 |
| ·界面层电导率和厚度对印记的影响 | 第65-69页 |
| ·双界面层模型与实验电滞回线的比较 | 第69-70页 |
| ·减小印记失效的理论方法 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第84页 |
