| 论文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·氧化锌结构、特性及制备 | 第13-24页 |
| ·氧化锌结构和特性 | 第13-16页 |
| ·氧化锌制备方法 | 第16-19页 |
| ·P型掺杂的理论与试验进展 | 第19-22页 |
| ·氧化锌研究的回顾及展望 | 第22-24页 |
| ·论文的指导思想和研究内容 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 材料制备及表征 | 第31-58页 |
| ·材料制备原理及设备 | 第31-41页 |
| ·薄膜生长基本原理 | 第31-33页 |
| ·影响薄膜生长的参量 | 第33-34页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第34-39页 |
| ·设备介绍 | 第39-41页 |
| ·材料特性表征方法 | 第41-55页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第41-43页 |
| ·喇曼(Raman)光谱分析 | 第43-45页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第45-48页 |
| ·光致发光谱 | 第48-50页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第50-51页 |
| ·霍尔效应测量 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 两步热氧化法制备ZnO薄膜及其光催化特性 | 第58-73页 |
| ·纳米ZnO薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·直接氧化法制备ZnO薄膜 | 第58-59页 |
| ·两步氧化法制备纳米ZnO薄膜 | 第59页 |
| ·纳米ZnO薄膜的性能表征 | 第59-64页 |
| ·ZnO薄膜的XRD分析 | 第59-61页 |
| ·ZnO薄膜的形貌分析 | 第61-62页 |
| ·纳米ZnO薄膜的光学性 | 第62-64页 |
| ·纳米ZnO薄膜光催化性能 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 射频溅射ZnO:Al薄膜及在太阳能电池上的应用 | 第73-90页 |
| ·ZnO:Al薄膜的制备 | 第74-75页 |
| ·ZnO:Al薄膜的结构、电学及光学性能测试 | 第75-86页 |
| ·射频反应溅射方法制备ZnO:Al的性能表征 | 第75-80页 |
| ·利用陶瓷靶材制备的ZnO:Al性能表征 | 第80-84页 |
| ·ZnS/CuInS2/Mo/(SLG)衬底上制备铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第五章 原位氧化Zn_3N_2制备p型ZnO薄膜的研究 | 第90-121页 |
| ·样品的制备与表征 | 第91-92页 |
| ·Zn3N2薄膜的制备及表征 | 第92-102页 |
| ·射频反应溅射工艺参数对Zn3N2薄膜的影响 | 第92-99页 |
| ·直流反应溅射工艺参数对Zn3N2薄膜的影响 | 第99-102页 |
| ·氧化Zn3N2薄膜制备ZnO薄膜的研究 | 第102-117页 |
| ·原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响 | 第102-109页 |
| ·一般常压氧化对ZnO薄膜的性能影响 | 第109-111页 |
| ·原位氧化直流反应溅射样品的研究 | 第111-113页 |
| ·衬底对氧化法制备ZnO薄膜的影响 | 第113-117页 |
| ·本章小结 | 第117页 |
| 参考文献 | 第117-121页 |
| 第六章 射频溅射法制备纳米SiC薄膜及其场发射特性 | 第121-132页 |
| ·样品的制备 | 第121-122页 |
| ·SiC薄膜的性能表征 | 第122-130页 |
| ·SiC薄膜的结构特性 | 第122-124页 |
| ·红外透射谱研究 | 第124-125页 |
| ·SiC薄膜的电学特性 | 第125-127页 |
| ·SiC薄膜的场发射特性 | 第127-130页 |
| ·本章小结 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-132页 |
| 第七章 总结与展望 | 第132-136页 |
| ·本论文工作的主要结论 | 第132-134页 |
| ·工作展望 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 在研期间的研究成果 | 第137页 |
