| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET模型分类及发展动态 | 第11-17页 |
| 1.3 MOSFET模型要求以及建模流程 | 第17-20页 |
| 1.4 本文主要内容及文章结构 | 第20-21页 |
| 第二章 MOSFET基础知识 | 第21-34页 |
| 2.1 MOSFET基本工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2 MOSFET模型中典型的物理效应 | 第23-27页 |
| 2.3 高频MOSFET模型寄生效应和分布效应 | 第27-32页 |
| 2.4 MOSFET小信号等效电路模型 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 射频毫米波在片测试系统 | 第34-50页 |
| 3.1 测试结构设计 | 第34-35页 |
| 3.2 在片测试系统 | 第35-37页 |
| 3.3 测试结果 | 第37-46页 |
| 3.4 去嵌方法 | 第46-48页 |
| 3.5 去嵌结果 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 毫米波体硅CMOS晶体管非线性模型研究 | 第50-71页 |
| 4.1 小信号等效电路模型 | 第50页 |
| 4.2 小信号模型参数提取 | 第50-53页 |
| 4.3 模型验证 | 第53-57页 |
| 4.4 模型优化 | 第57-61页 |
| 4.5 直流模型 | 第61-66页 |
| 4.6 非线性电容模型 | 第66-70页 |
| 4.7 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 毫米波SOICMOS晶体管非线性等效电路模型研究 | 第71-87页 |
| 5.1 SOIMOSFET基本特性 | 第71-72页 |
| 5.2 小信号等效电路模型 | 第72-75页 |
| 5.3 直流模型 | 第75-78页 |
| 5.4 非线性电容模型 | 第78-81页 |
| 5.5 模型验证 | 第81-86页 |
| 5.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 6.1 工作总结 | 第87页 |
| 6.2 未来展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第95页 |