| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号、变量、缩略词注释表 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 单片智能功率芯片与厚膜SOI工艺 | 第11-14页 |
| 1.1.1 单片智能功率芯片 | 第11-12页 |
| 1.1.2 厚膜SOI工艺与SOI-LIGBT器件 | 第12-14页 |
| 1.2 厚膜SOI-LIGBT器件的研究现状与发展 | 第14-20页 |
| 1.2.1 关断特性的研究现状与发展 | 第14-16页 |
| 1.2.2 互连线技术的研究现状与发展 | 第16-17页 |
| 1.2.3 短路特性的研究现状与发展 | 第17-19页 |
| 1.2.4 电流能力提升技术的研究现状与发展 | 第19-20页 |
| 1.3 论文的主要工作与意义 | 第20-23页 |
| 第二章 应用于高压厚膜SOI-LIGBT器件的互连线技术研究 | 第23-39页 |
| 2.1 高压互连线对击穿电压的不良影响 | 第23-26页 |
| 2.1.1 厚膜SOI-LIGBT器件的耐压原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 高压互连线导致击穿电压下降的机理 | 第24-26页 |
| 2.2 新型等深双沟槽互连线技术研究 | 第26-31页 |
| 2.3 新型非等深双沟槽互连线技术研究 | 第31-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 高压厚膜SOI-LIGBT器件的电流密度提升技术研究 | 第39-59页 |
| 3.1 厚膜SOI-LIGBT器件的电流密度 | 第39-43页 |
| 3.1.1 传统单沟道SOI-LIGBT器件的导通原理 | 第39-40页 |
| 3.1.2 电流密度与闩锁电压的折中关系 | 第40-43页 |
| 3.2 新型U型沟道电流密度提升技术 | 第43-57页 |
| 3.2.1 传统多沟道电流密度提升技术 | 第43-44页 |
| 3.2.2 U型沟道技术 | 第44-49页 |
| 3.2.3 改进型U型沟道技术 | 第49-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 高压厚膜SOI-LIGBT器件的关断与短路鲁棒性研究 | 第59-91页 |
| 4.1 高压厚膜SOI-LIGBT器件的关断鲁棒性研究 | 第59-70页 |
| 4.1.1 厚膜SOI-LIGBT器件的开关过程 | 第59-60页 |
| 4.1.2 多跑道并联SOI-LIGBT器件的非一致性关断特性 | 第60-69页 |
| 4.1.3 非一致性关断行为的改进 | 第69-70页 |
| 4.2 高压厚膜SOI-LIGBT器件的短路鲁棒性研究 | 第70-89页 |
| 4.2.1 厚膜SOI-LIGBT器件的短路过程与失效类型 | 第70-74页 |
| 4.2.2 新型双栅控制深槽氧化层厚膜SOI-LIGBT器件及其短路能力 | 第74-77页 |
| 4.2.3 新型沟槽栅U型沟道厚膜SOI-LIGBT器件及其短路能力 | 第77-82页 |
| 4.2.4 平面栅与沟槽栅U型沟道厚膜SOI-LIGBT器件的短路特性对比 | 第82-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 高压厚膜SOI-LIGBT器件的快速关断技术研究 | 第91-107页 |
| 5.1 新型漂移区双沟槽SOI-LIGBT器件及其关断特性 | 第91-98页 |
| 5.2 新型漂移区三沟槽SOI-LIGBT器件及其关断特性 | 第98-105页 |
| 5.3 本章小结 | 第105-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-111页 |
| 6.1 总结 | 第107-108页 |
| 6.2 展望 | 第108-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-119页 |
| 博士期间研究成果 | 第119-122页 |
