| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景及其研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 高压SOI LDMOS器件发展动态 | 第10-15页 |
| 1.3 本论文主要工作与内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 高压SOI LDMOS原理及模型推导 | 第16-27页 |
| 2.1 高压SOI LDMOS器件介质场增强原理 | 第16-19页 |
| 2.2 线性掺杂原理 | 第19-21页 |
| 2.3 带场板的线性掺杂SOI LDMOS器件模型 | 第21-25页 |
| 2.4 模型仿真验证拟合 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高压低导通电阻LDMOS结构的设计与仿真 | 第27-48页 |
| 3.1 线性掺杂超薄SOI LDMOS导通电阻分布 | 第27-28页 |
| 3.2 部分线性掺杂超薄SOI LDMOS器件设计 | 第28-35页 |
| 3.2.1 漂移区部分线性掺杂设计 | 第28-30页 |
| 3.2.2 部分线性掺杂结构耐压设计 | 第30-35页 |
| 3.3 线性掺杂与部分线性掺杂SOI LDMOS的仿真对比 | 第35-47页 |
| 3.3.1 线性掺杂和部分线性掺杂SOI LDMOS的工艺确认 | 第35-38页 |
| 3.3.2 线性掺杂和部分线性掺杂SOI LDMOS的参数仿真 | 第38-45页 |
| 3.3.3 新结构部分线性掺杂SOI LDMOS仿真确认 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 部分线性掺杂SOI LDMOS器件的实验设计与实现 | 第48-59页 |
| 4.1 部分线性掺杂结构的工艺及版图设计 | 第48-51页 |
| 4.1.1 部分线性掺杂SOI LDMOS实验工艺 | 第48-49页 |
| 4.1.2 部分线性掺杂SOI LDMOS的版图设计 | 第49-51页 |
| 4.2 部分线性掺杂SOI LDMOS器件的实验结果 | 第51-57页 |
| 4.2.1 部分线性掺杂SOI LDMOS器件的测试结果 | 第51-55页 |
| 4.2.2 部分线性掺杂SOI LDMOS结构与其它结构性能比较 | 第55-57页 |
| 4.3 线性掺杂SOI LDMOS模型与实验结果的拟合 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64-65页 |
