| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 功率MOSFET器件概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 横向功率MOSFET器件简述 | 第11-12页 |
| 1.1.2 纵向功率MOSFET器件简述 | 第12-13页 |
| 1.2 研究热点 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状和发展态势 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 功率MOSFET器件功耗降低技术 | 第18-29页 |
| 2.1 超结技术 | 第18-21页 |
| 2.1.1 超结器件基本原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 超结器件工艺原理 | 第19-20页 |
| 2.1.3 超结LDMOS的衬底辅助耗尽作用 | 第20-21页 |
| 2.2 沟槽技术 | 第21-23页 |
| 2.2.1 沟槽技术基本原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 槽型技术在LDMOS中的应用 | 第22-23页 |
| 2.3 电荷积累技术 | 第23-25页 |
| 2.3.1 电荷积累技术基本原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电荷积累技术的应用 | 第24-25页 |
| 2.4 栅漏电容降低技术 | 第25-28页 |
| 2.4.1 栅漏电容降低技术基本原理 | 第25-26页 |
| 2.4.2 栅漏电容降低技术的应用 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 具有多维电子积累层的超低导通电阻LDMOS | 第29-40页 |
| 3.1 器件结构特点与工作机理 | 第29-31页 |
| 3.2 MALLDMOS的电学特性 | 第31-36页 |
| 3.3 新结构参数优化 | 第36-37页 |
| 3.4 新器件工艺流程 | 第37-38页 |
| 3.5 新结构与其他结构性能对比 | 第38-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 具有分裂三栅的LDMOS器件研究 | 第40-54页 |
| 4.1 器件结构特点与工作机理 | 第40-43页 |
| 4.2 计算QGD的原理 | 第43-44页 |
| 4.3 STGLDMOS的电学特性 | 第44-48页 |
| 4.3.1 仿真细节与参数 | 第44-45页 |
| 4.3.2 导通特性 | 第45-47页 |
| 4.3.3 耐压特性 | 第47-48页 |
| 4.4 参数优化 | 第48-52页 |
| 4.5 新器件工艺原理 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第61页 |