| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第10-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HFET国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET的工作机理 | 第16-31页 |
| 2.1 极化机理与二维电子气 | 第16-21页 |
| 2.1.1 极化机理 | 第16-18页 |
| 2.1.2 二维电子气 | 第18-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HFET的器件结构与工作原理 | 第21-22页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HFET增强型及高耐压技术 | 第22-30页 |
| 2.3.1 增强型实现技术 | 第22-26页 |
| 2.3.2 高耐压技术 | 第26-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 对称极化掺杂增强型AlGaN/GaN HFET研究 | 第31-49页 |
| 3.1 极化掺杂技术 | 第31-34页 |
| 3.2 SPD-HFET器件结构与工作机理 | 第34-38页 |
| 3.2.1 器件结构特征 | 第34-35页 |
| 3.2.2 工作机理 | 第35-38页 |
| 3.3 SPD-HFET器件静态特性分析 | 第38-43页 |
| 3.3.1 导通特性 | 第38-42页 |
| 3.3.2 阻断特性 | 第42-43页 |
| 3.3.3 静态特性小结 | 第43页 |
| 3.4 SPD-HFET器件关键参数研究 | 第43-47页 |
| 3.5 工艺实施方案 | 第47-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 纵向超结增强型AlGaN/GaN HFET研究 | 第49-65页 |
| 4.1 纵向GaNFET功率器件概述 | 第49-52页 |
| 4.2 VSJ-HFET器件结构与工作原理 | 第52-54页 |
| 4.3 VSJ-HFET器件静态特性分析 | 第54-59页 |
| 4.3.1 导通特性 | 第54-56页 |
| 4.3.2 阻断特性 | 第56-59页 |
| 4.3.3 静态特性小结 | 第59页 |
| 4.4 VSJ-HFET器件关键参数研究 | 第59-64页 |
| 4.4.1 CBL掺杂浓度的影响 | 第59-62页 |
| 4.4.2 N/P条掺杂浓度的影响 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74页 |
