| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 二维半导体器件的国内外研究历史与现状 | 第11页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 二维半导体器件模型 | 第13-32页 |
| 2.1 二维半导体双栅场效应晶体管 | 第13-14页 |
| 2.2 二维半导体双栅场效应晶体管短沟道效应模型 | 第14-22页 |
| 2.2.1 短沟道效应基础 | 第14页 |
| 2.2.2 常规厚沟道下的边界条件 | 第14-16页 |
| 2.2.3 二维半导体器件的模型边界条件讨论 | 第16-17页 |
| 2.2.4 带拟合参数的二维半导体器件短沟道效应模型 | 第17-22页 |
| 2.3 二维半导体双栅场效应晶体管长沟电流-电压模型 | 第22-25页 |
| 2.4 二维半导体双栅场效应晶体管的互补全区域电流-电压模型 | 第25-31页 |
| 2.4.1 短沟道电流-电压模型 | 第25-27页 |
| 2.4.2 长沟速度饱和电流-电压模型 | 第27-28页 |
| 2.4.3 统一的互补式全区域电流电压模型 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 二维半导体器件模型的应用 | 第32-56页 |
| 3.1 六管SRAM的基本原理 | 第32-35页 |
| 3.1.1 六管SRAM的基本结构及其工作原理 | 第32-33页 |
| 3.1.2 六管SRAM的静态噪声容限 | 第33-35页 |
| 3.2 长沟道电流-电压模型下的SRAM静态噪声容限仿真 | 第35-47页 |
| 3.2.1 长沟模型下SRAM单元静态噪声容限仿真的基本算法 | 第35-39页 |
| 3.2.2 二维半导体器件各参数对噪声容限的影响与讨论 | 第39-47页 |
| 3.2.2.1 供电电压和阈值电压对静态噪声容限的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2.2 二维半导体器件的非有效掺杂对静态噪声容限的影响 | 第42页 |
| 3.2.2.3 接触电阻对静态噪声容限的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.2.4 静态噪声容限的最坏情况(WorstCase)分析 | 第45-47页 |
| 3.3 全区域电流-电压模型下的SRAM静态噪声容限仿真 | 第47-55页 |
| 3.3.1 全区域模型下SRAM单元静态噪声容限仿真的基本算法 | 第47-49页 |
| 3.3.2 短沟道效应对二维半导体SRAM静态噪声容限的影响 | 第49-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第56-58页 |
| 4.1 全文总结 | 第56页 |
| 4.2 后续工作展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第62页 |
