| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 CCD图像传感器发展趋势 | 第10-15页 |
| 1.1.1 器件发展 | 第10-14页 |
| 1.1.2 工艺技术发展 | 第14-15页 |
| 1.2 内线转移CCD遮光工艺技术发展 | 第15-19页 |
| 1.2.1 漏光原因分析 | 第16-17页 |
| 1.2.2 国内外技术现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第19-20页 |
| 1.3.1 新型金属遮光层技术单项工艺研究 | 第19页 |
| 1.3.2 新型遮光工艺集成方案及技术研究 | 第19-20页 |
| 1.3.3 遮光性能评估方法建立及遮光性能评价 | 第20页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 内线转移CCD技术 | 第21-37页 |
| 2.1 内线转移CCD器件设计介绍 | 第21-29页 |
| 2.1.1 光电二极管设计 | 第21-23页 |
| 2.1.2 垂直CCD设计 | 第23-25页 |
| 2.1.3 横向抗晕设计 | 第25页 |
| 2.1.4 降低器件弥散设计 | 第25-27页 |
| 2.1.5 水平CCD设计 | 第27页 |
| 2.1.6 放大器设计 | 第27-29页 |
| 2.2 内线转移CCD工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.3 内线转移CCD主要工艺技术 | 第30-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 新型遮光材料工艺技术研究 | 第37-59页 |
| 3.1 遮光材料性能评价 | 第37-38页 |
| 3.2 钨工艺技术研究 | 第38-57页 |
| 3.2.1 钨淀积工艺研究 | 第40-48页 |
| 3.2.1.1 PVD溅射基本原理 | 第40-42页 |
| 3.2.1.2 钨淀积条件 | 第42页 |
| 3.2.1.3 钨淀积基本参数调试 | 第42页 |
| 3.2.1.4 W挡光特性以及反射率的研究 | 第42-44页 |
| 3.2.1.5 金属W的接触电阻、应力、起层等优化 | 第44-46页 |
| 3.2.1.6 台阶覆盖的研究 | 第46-47页 |
| 3.2.1.7 钨引线工艺参数研究 | 第47-48页 |
| 3.2.2 钨刻蚀工艺研究 | 第48-57页 |
| 3.2.2.1 刻蚀的基本原理 | 第49-52页 |
| 3.2.2.2 钨刻蚀机理研究 | 第52-55页 |
| 3.2.2.3 钨刻蚀残留研究 | 第55-57页 |
| 3.2.2.4 遮光金属线宽研究 | 第57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 新型遮光工艺技术集成与评价 | 第59-69页 |
| 4.1 钨遮光层工艺技术集成 | 第59-64页 |
| 4.1.1 BPSG工艺调整 | 第59-61页 |
| 4.1.2 遮光金属钨底层结构调整 | 第61-62页 |
| 4.1.3 金属引线结构调整 | 第62-64页 |
| 4.2 遮光性能评价 | 第64-68页 |
| 4.2.1 遮光性能评价方法 | 第64-65页 |
| 4.2.2 新型遮光工艺技术的评价 | 第65-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第69页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录一 内线转移CCD工艺流程框图 | 第75-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82页 |