| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-16页 |
| 1.1.1 单项全桥三电平逆变电路工作原理 | 第9-12页 |
| 1.1.2 超结VDMOS器件在充电桩单项全桥三电平逆变电路中的应用优势 | 第12-13页 |
| 1.1.3 单项全桥三电平逆变电路中超结VDMOS体二极管反向恢复问题 | 第13-16页 |
| 1.2 超结VDMOS器件体二极管反向恢复研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 论文主要工作与设计指标 | 第18-19页 |
| 1.3.1 论文主要工作 | 第18页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第18-19页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第19-21页 |
| 第二章 超结VDMOS体二极管反向恢复基础理论及研究平台搭建 | 第21-35页 |
| 2.1 超结VDMOS器件及其体二极管结构 | 第21-22页 |
| 2.1.1 超结VDMOS器件结构 | 第21页 |
| 2.1.2 超结VDMOS体二极管结构 | 第21-22页 |
| 2.2 超结VDMOS体二极管反向恢复基础理论 | 第22-29页 |
| 2.2.1 感性钳位系统工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 体二极管反向恢复原理及其影响因素 | 第24-29页 |
| 2.3 超结VDMOS体二极管反向恢复测试及仿真平台 | 第29-33页 |
| 2.3.1 测试平台 | 第29-32页 |
| 2.3.2 仿真平台 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究 | 第35-53页 |
| 3.1 超结VDMOS体二极管反向恢复测试 | 第35-38页 |
| 3.1.1 超结VDMOS体二极管反向恢复负载电压测试 | 第35-36页 |
| 3.1.2 超结VDMOS体二极管反向恢复负载电流测试 | 第36-37页 |
| 3.1.3 超结VDMOS体二极管反向恢复电流变化率测试 | 第37-38页 |
| 3.2 超结VDMOS体二极管反向恢复失效机理研究 | 第38-47页 |
| 3.2.1 超结VDMOS体二极管反向恢复失效定位 | 第38-39页 |
| 3.2.2 超结VDMOS体二极管反向恢复失效分析 | 第39-47页 |
| 3.3 正向续流时间对超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性的影响 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性优化 | 第53-61页 |
| 4.1 新型动态场限环结构设计 | 第53-54页 |
| 4.2 新型动态场限环结构对器件静态参数的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 带新型动态场限环结构的超结VDMOS反向恢复仿真结果 | 第55-56页 |
| 4.4 带新型动态场限环结构的超结VDMOS器件的流片及测试结果 | 第56-60页 |
| 4.4.1 动态场限环超结VDMOS工艺流程 | 第56-57页 |
| 4.4.2 动态场限环超结VDMOS器件的实测结果 | 第57-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 总结 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第69-70页 |
