| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体功率器件 | 第12-15页 |
| 1.3 垂直场效应晶体管 | 第15-17页 |
| 1.4 IGBT器件 | 第17-18页 |
| 1.5 本章小结 | 第18页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第18-20页 |
| 第二章 HIGH-K VDMOS元胞的设计与改进 | 第20-51页 |
| 2.1 传统耐压层与超结耐压层 | 第20-26页 |
| 2.1.1 传统耐压层技术 | 第20-22页 |
| 2.1.2 超结耐压层技术 | 第22-23页 |
| 2.1.3 超结耐压层的现状级挑战 | 第23-26页 |
| 2.2 利用高介电常数介质的耐压层 | 第26-27页 |
| 2.3 传统HIGH-K VDMOS元胞 | 第27-32页 |
| 2.3.1 HIGH-K耐压层的设计 | 第27-30页 |
| 2.3.2 传统HIGH-K VDMOS元包设计 | 第30-32页 |
| 2.4 一种双栅HIGH-K VDMOS器件 | 第32-41页 |
| 2.4.1 双栅HIGH-K VDMOS器件的基本原理 | 第32-33页 |
| 2.4.2 双栅HIGH-K VDMOS器件元胞设计与仿真 | 第33-41页 |
| 2.5 一种自驱动分裂栅HIGH-K VDMOS器件 | 第41-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 HIGH-K VDMOS终端的设计与改进 | 第51-69页 |
| 3.1 HIGH-K VDMOS终端结构面临的挑战 | 第51-59页 |
| 3.1.1 传统终端结构 | 第51-58页 |
| 3.1.2 HIGH-K VDMOS终端结构面临的挑战 | 第58-59页 |
| 3.2 一种可应用于HIGH-K VDMOS的终端结构 | 第59-60页 |
| 3.3 一种利用深P区与场板的HIGH-K VDMOS终端结构 | 第60-68页 |
| 3.3.1 器件性能分析及优化 | 第61-64页 |
| 3.3.2 两种深槽终端结构的比较 | 第64-67页 |
| 3.3.3 新型HIGH-K VDMOS深槽终端工艺流程的讨论 | 第67-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 RC-IGBT电压折回机制机器结构优化 | 第69-87页 |
| 4.1 IGBT的基本结构与特性 | 第69-74页 |
| 4.1.1 IGBT正向导通能力 | 第69-71页 |
| 4.1.2 IGBT正向阻断能力 | 第71-72页 |
| 4.1.3 IGBT反向阻断能力 | 第72页 |
| 4.1.4 IGBT的开关特性 | 第72-74页 |
| 4.2 传统RC-IGBT及其电压折回现象 | 第74-77页 |
| 4.2.1 RC-IGBT的基本结构与原理 | 第74-75页 |
| 4.2.2 RC-IGBT电压折回原理及改进方法 | 第75-77页 |
| 4.3 一种背面深槽填充P型硅的RC-IGBT | 第77-81页 |
| 4.3.1 背面填充P型硅的RC-IGBT的结构与原理 | 第77-78页 |
| 4.3.2 背面填充P型硅的RC-IGBT的稳态输出特性 | 第78-79页 |
| 4.3.3 背面填充P型硅的RC-IGBT的开关特性 | 第79-81页 |
| 4.4 一种改进型背面深槽填充P型硅的RC-IGBT | 第81-86页 |
| 4.4.1 器件结构与基本原理 | 第81-82页 |
| 4.4.2 改进型结构的稳态特性与结构优化 | 第82-84页 |
| 4.4.3 改进型结构的开关特性 | 第84-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第87-89页 |
| 5.1 全文总结 | 第87页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第96页 |
