| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 新型碳基材料简介 | 第8-13页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第8-10页 |
| 1.2.2 碳纳米管 | 第10-13页 |
| 1.3 碳基场效应管简述 | 第13-15页 |
| 1.4 碳基场效应管研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 量子运输理论 | 第19-27页 |
| 2.1 非平衡格林函数 | 第19-21页 |
| 2.2 Dyson方程 | 第21-22页 |
| 2.3 广义Landauer-Büttiker方程 | 第22-27页 |
| 第三章 新型碳基纳米管场效应管输运特性研究 | 第27-45页 |
| 3.1 基于沟道工程技术的碳基纳米管场效应管输运特性 | 第27-36页 |
| 3.1.1 源漏轻掺杂碳纳米管场效应管输运特性研究 | 第27-32页 |
| 3.1.2 非对称峰值轻掺杂石墨烯场效应管输运特性研究 | 第32-36页 |
| 3.2 基于栅工程技术的碳基纳米管场效应管输运特性 | 第36-40页 |
| 3.3 基于栅工程技术和沟道工程相结合的CNTFET输运特性 | 第40-43页 |
| 3.3.1 异质栅源漏轻掺杂碳纳米管场效应管输运特性研究 | 第40-42页 |
| 3.3.2 新型碳基场效应管的工程应用（参照ITRS’10） | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 基于新型碳基场效应管的基本电路特性研究 | 第45-65页 |
| 4.1 碳基场效应管的SPICE查找表模型 | 第45-48页 |
| 4.2 沟道工程对碳基场效应管基本电路性能的影响 | 第48-55页 |
| 4.2.1 源漏轻掺杂技术对CNTFET基本电路性能的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.2 非对称峰值轻掺杂技术对GNRFET基本电路的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 栅工程对碳基场效应管基本电路性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.4 栅工程和沟道工程相结合对碳基场效应管基本电路性能的影响 | 第60-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 场效应晶体管栅极隧穿电流对逻辑电路功能的影响 | 第65-70页 |
| 5.1 栅极隧穿电流计算方法 | 第65-66页 |
| 5.2 栅极隧穿电流对逻辑电路的影响 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第75-76页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第76-77页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
