| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 碳化硅材料介绍 | 第9-12页 |
| 1.2 SiCTrenchMOSFET器件 | 第12-17页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 SiCTrenchMOSFET器件理论基础 | 第19-30页 |
| 2.1 SiCTrenchMOSFET器件基本静态特性 | 第19-21页 |
| 2.2 SiCTrenchMOSFET动态特性研究 | 第21-25页 |
| 2.3 SiCTrenchMOSFET可能存在的问题 | 第25-29页 |
| 2.3.1 栅槽底部刻蚀的微沟槽问题 | 第25-27页 |
| 2.3.2 栅氧化层可靠性问题 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SiCTrenchMOSFET器件结构的仿真研究 | 第30-77页 |
| 3.1 SiCTrenchMOSFET的静态特性研究 | 第30-67页 |
| 3.1.1 漂移区对器件静态特性的影响 | 第30-36页 |
| 3.1.2 Pbase对器件静态特性的影响 | 第36-43页 |
| 3.1.3 N型CSLayer对器件静态特性的影响 | 第43-53页 |
| 3.1.4 P+屏蔽层对器件静态特性的影响 | 第53-59页 |
| 3.1.5 栅氧化层厚度对器件静态特性的影响 | 第59-63页 |
| 3.1.6 栅底部氧化层厚度对器件静态特性的影响 | 第63-67页 |
| 3.2 SiCTrenchMOSFET的动态特性研究 | 第67-75页 |
| 3.2.1 开启瞬态和关断瞬态 | 第68-70页 |
| 3.2.2 外部电路参数对TMOS动态特性的影响 | 第70-72页 |
| 3.2.3 栅底部氧化层厚度对TMOS动态特性的影响 | 第72-75页 |
| 3.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 实验及测试分析 | 第77-82页 |
| 4.1 栅槽形貌分析 | 第77-78页 |
| 4.2 无P+屏蔽层注入结构 | 第78-79页 |
| 4.3 有P+屏蔽层注入结构 | 第79-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第89页 |
