| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 碳纳米管简介 | 第10-16页 |
| 1.2 碳纳米管场效应管简介 | 第16-17页 |
| 1.3 碳纳米管场效应管的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容和创新点 | 第19-22页 |
| 1.4.1 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.2 本文的创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 量子输运理论及计算模型 | 第22-31页 |
| 2.1 Landauer - Büttiker输运理论 | 第22-23页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第23-27页 |
| 2.3 场效应晶体管的电学特性计算模型 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 新型碳纳米场效应晶体管的的电学输运特性 | 第31-44页 |
| 3.1 基于沟道工程的n - i - n型碳纳米场效应管的输运特性 | 第31-36页 |
| 3.1.1 Halo掺杂对CNTFET直流特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.2 Halo掺杂CNTFET的高频特性分析 | 第34-36页 |
| 3.2 基于沟道工程的p - i - n型碳纳米场效应管的输运特性 | 第36-43页 |
| 3.2.1 栅介电常数对TFET性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.2 轻掺杂对HTFET输运特性的影响 | 第38-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于新型碳纳米场效应管的电路特性研究 | 第44-60页 |
| 4.1 CNTFET的SPICE查找表模型 | 第44-46页 |
| 4.2 CNTFET逻辑电路的实现 | 第46-52页 |
| 4.2.1 CNTFET反相器逻辑功能的实现 | 第47-48页 |
| 4.2.2 CNTFET或门逻辑功能的实现 | 第48-49页 |
| 4.2.3 CNTFET与门逻辑功能的实现 | 第49页 |
| 4.2.4 CNTFET异或门逻辑功能的实现 | 第49-50页 |
| 4.2.5 CNTFET加法器逻辑功能的实现 | 第50-52页 |
| 4.3 Halo掺杂结构对n - i - n型场效应晶体管构建的电路性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.1 Halo掺杂对反相器性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.2 Halo掺杂对SRAM性能的影响 | 第53-56页 |
| 4.4 异质轻掺杂结构对p - i - n型场效应晶体管构建的电路性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.4.1 异质轻掺杂对反相器性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4.2 Vdd变化对反相器性能的影响 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 场效应晶体管栅极隧穿电流对逻辑电路功能的影响 | 第60-68页 |
| 5.1 栅电流机制分析 | 第60-61页 |
| 5.2 栅电流模型 | 第61-63页 |
| 5.3 栅电流模型在电路中的应用 | 第63-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第72-73页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
