| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 功率MOSFET的发展概述 | 第10-13页 |
| 1.2 功率MOSFET的辐射效应研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第13-14页 |
| 1.2.2 功率MOSFET的辐射效应 | 第14页 |
| 1.2.3 功率MOSFET的辐射效应研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 TrenchMOSFET器件的基本理论 | 第18-35页 |
| 2.1 TrenchMOSFET的结构与工艺 | 第18-20页 |
| 2.1.1 TrenchMOSFET的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 TrenchMOSFET的制造工艺 | 第19-20页 |
| 2.2 TrenchMOSFET的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 TrenchMOSFET的基本参数特性 | 第21-31页 |
| 2.3.1 阻断电压 | 第21-24页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第24-25页 |
| 2.3.3 导通电阻 | 第25-27页 |
| 2.3.4 电容特性 | 第27-30页 |
| 2.3.5 优值(FOM) | 第30-31页 |
| 2.4 TrenchMOSFET的基本特性仿真 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 TrenchMOSFET的辐射效应 | 第35-54页 |
| 3.1 总剂量效应 | 第35-37页 |
| 3.2 单粒子效应 | 第37-49页 |
| 3.2.1 SEB效应研究 | 第37-42页 |
| 3.2.2 SEGR效应研究 | 第42-46页 |
| 3.2.3 单粒子微剂量效应 | 第46-49页 |
| 3.3 单粒子烧毁效应的影响因素研究 | 第49-52页 |
| 3.3.1 源区掺杂浓度的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.2 P-body结深的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.3 载流子寿命的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 TrenchMOSFET与VDMOS单粒子效应的对比 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 TrenchMOSFET的抗辐射加固 | 第54-67页 |
| 4.1 工艺加固 | 第54-55页 |
| 4.2 缓冲层加固 | 第55-59页 |
| 4.3 深P+扩展加固 | 第59-61页 |
| 4.4 槽形接触孔加固 | 第61-63页 |
| 4.5 屏蔽栅结构加固 | 第63-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |