| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 SiC材料及其优势 | 第10-11页 |
| 1.2 SiCMOSFET发展现状 | 第11-14页 |
| 1.3 SiCMOSFET可靠性研究 | 第14-16页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 4H-SiCMOSFET工作原理与可靠性基础 | 第17-29页 |
| 2.1 MOSFET基本工作原理 | 第17-23页 |
| 2.2 器件可靠性研究 | 第23-26页 |
| 2.2.1 可靠性理论 | 第23-25页 |
| 2.2.2 功率MOSFET主要失效机理 | 第25-26页 |
| 2.3 器件的失效分析 | 第26-28页 |
| 2.4 本章总结 | 第28-29页 |
| 第三章 高压4H-SiCMOSFET设计与制备 | 第29-51页 |
| 3.1 传统平面型4H-SiCMOSFET元胞设计 | 第29-39页 |
| 3.1.1 N型外延层 | 第29-30页 |
| 3.1.2 Pbase区掺杂分布 | 第30-33页 |
| 3.1.3 栅氧化层厚度 | 第33-35页 |
| 3.1.4 JFET区宽度 | 第35-37页 |
| 3.1.5 沟道长度 | 第37-39页 |
| 3.2 栅氧加固结构4H-SiCMOSFET元胞设计 | 第39-46页 |
| 3.2.1 JFET区注入宽度 | 第40-42页 |
| 3.2.2 JFET区槽深 | 第42-43页 |
| 3.2.3 JFET区宽度 | 第43-46页 |
| 3.3 SiCMOSFET版图设计与器件制备 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 4H-SiCMOSFET性能测试与可靠性研究 | 第51-64页 |
| 4.1 4H-SiCMOSFET静态特性测试 | 第51-53页 |
| 4.2 4H-SiCMOSFET动态特性测试 | 第53-58页 |
| 4.3 4H-SiCMOSFET可靠性考核 | 第58-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70页 |
