| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展简介 | 第10-12页 |
| 1.2 LIGBT的发展及研究现状 | 第12-18页 |
| 1.3 论文主要工作及章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 LIGBT的工作原理和基本特性 | 第19-25页 |
| 2.1 LIGBT的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.2 LIGBT的工作模式 | 第20-24页 |
| 2.2.1 LIGBT的正向导通特性 | 第20-21页 |
| 2.2.2 LIGBT的正向阻断模式 | 第21页 |
| 2.2.3 LIGBT的反向阻断模式 | 第21页 |
| 2.2.4 LIGBT的开关特性 | 第21-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 DG-ILET的工作原理及仿真特性 | 第25-31页 |
| 3.1 DG-ILET的器件结构 | 第26页 |
| 3.2 DG-ILET的工作原理及仿真 | 第26-30页 |
| 3.2.1 单子导电模式 | 第26-27页 |
| 3.2.2 双子导电模式 | 第27-29页 |
| 3.2.3 关断模式 | 第29-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 具有大注入效应增强的高速LIGBT的研究及性能仿真 | 第31-59页 |
| 4.1 空穴主动控制型LIGBT的结构及工作原理 | 第31-44页 |
| 4.1.1 HC-LIGBT的器件结构 | 第31-33页 |
| 4.1.2 HC-LIGBT的工作原理 | 第33-44页 |
| 4.1.2.1 正向阻断特性 | 第34页 |
| 4.1.2.2 横向硅基器件表面电场的优化 | 第34-39页 |
| 4.1.2.3 正向导通特性 | 第39-41页 |
| 4.1.2.4 开关转换阶段 | 第41-44页 |
| 4.2 HC-LIGBT的击穿电压仿真验证及分析 | 第44-46页 |
| 4.3 HC-LIGBT正向导通特性的仿真验证及分析 | 第46-47页 |
| 4.4 HC-LIGBT开关特性的仿真验证及分析 | 第47-54页 |
| 4.5 改变关键区域掺杂浓度对HC-LIGBT的影响 | 第54-57页 |
| 4.5.1 阳极P+掺杂浓度对HC-LIGBT的影响 | 第54-56页 |
| 4.5.2 N-Buffer区掺杂浓度对HC-LIGBT的影响 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 400VHC-LIGBT的工艺设计 | 第59-67页 |
| 5.1 器件结构设计及材料选取 | 第59-60页 |
| 5.2 HC-LIGBT的工艺流程设计 | 第60-62页 |
| 5.3 工艺仿真及结果分析 | 第62-66页 |
| 5.3.1 器件结构的仿真 | 第62-64页 |
| 5.3.2 器件性能的仿真验证 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
