| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 超结高压器件概述 | 第10-17页 |
| 1.1.1 超结工艺的发展 | 第11-13页 |
| 1.1.2 横向超结功率半导体器件的发展 | 第13-17页 |
| 1.2 介质场增强理论与SOI横向高压器件 | 第17-23页 |
| 1.2.1 SOI技术简介 | 第17-19页 |
| 1.2.2 SOI横向高压器件简介 | 第19-21页 |
| 1.2.3 介质场增强技术 | 第21-23页 |
| 1.3 本文的研究意义与主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 超结SOI横向高压器件解析优化 | 第24-36页 |
| 2.1 超结SOI横向高压器件耐压设计 | 第24-30页 |
| 2.1.1 漂移区电荷补偿层原理 | 第25-27页 |
| 2.1.2 薄硅层介质场增强技术 | 第27-28页 |
| 2.1.3 薄硅层SOI横向器件设计 | 第28-30页 |
| 2.2 超结横向器件的比导通电阻优化 | 第30-34页 |
| 2.2.1 超结基本理论 | 第31-32页 |
| 2.2.2 超结横向器件与纵向器件R_(on,sp)的优化区别 | 第32-34页 |
| 2.2.3 超结横向器件R_(on,sp)设计公式 | 第34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 具有部分超结的SOI横向高压器件 | 第36-56页 |
| 3.1 具有部分超结的SOI横向高压器件结构及工作机理 | 第36-41页 |
| 3.1.1 器件设计与结构 | 第36-38页 |
| 3.1.2 T-SJSOILDMOS结构特点及工作机理 | 第38-41页 |
| 3.2 具有部分超结的SOI横向高压器件仿真优化设计 | 第41-50页 |
| 3.2.1 超结优化掺杂浓度及实现方式 | 第41-47页 |
| 3.2.2 具有非均匀电荷补偿层的耐压层设计 | 第47-48页 |
| 3.2.3 薄硅层厚度对器件性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.3 不同场板长度对器件漏端电场的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 具有部分超结的SOI横向高压器件性能分析 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 具有部分超结的SOI横向高压器件实验 | 第56-69页 |
| 4.1 T-SJSOILDMOS的工艺设计及流程 | 第56-59页 |
| 4.2 T-SJSOILDMOS的版图设计 | 第59-64页 |
| 4.3 T-SJSOILDMOS的测试结果及实验性能分析 | 第64-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 全文总结及工作展望 | 第69-72页 |
| 5.1 全文总结 | 第69-70页 |
| 5.2 工作展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第78-79页 |
