首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

MOS器件界面态特性研究及其可靠性分析

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-15页
    1.1 研究背景与意义第8-12页
        1.1.1 深亚微米器件带来的可靠性问题第9-11页
        1.1.2 MOS器件界面态特性的研究意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第12-14页
        1.2.1 深亚微米器件可靠性研究现状第12-13页
        1.2.2 MOS器件界面态特性研究现状第13-14页
    1.3 论文的主要内容和章节安排第14-15页
第二章 基于电荷泵技术的MOS器件界面态分析第15-26页
    2.1 电荷泵技术原理第15-16页
    2.2 运用电荷泵技术测量界面态密度第16-19页
        2.2.1 电荷泵技术的三种测量方法第17-18页
        2.2.2 电荷泵技术准确测量的影响参数分析第18-19页
    2.3 电荷泵测量试验结果与分析第19-25页
        2.3.1 实验样品和测试条件第19-20页
        2.3.2 实验数据处理和结果分析第20-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 65nm MOS器件热载流子效应的可靠性研究第26-41页
    3.1 MOS器件的热载流子效应第26-27页
    3.2 热载流子效应退化的基本原理第27-29页
        3.2.1 热载流子效应的退化过程第27页
        3.2.2 热载流子效应的注入及损伤机制第27-29页
    3.3 热载流子效应退化的测量第29-31页
        3.3.1 直流应力测试方法第29页
        3.3.2 测试方案第29-31页
    3.4 65nm MOS器件热载流子可靠性评价研究第31-40页
        3.4.1 实验测试仪器及样品第32页
        3.4.2 测试应力条件设置第32-35页
        3.4.3 热载流子效应测量第35-38页
        3.4.4 数据处理与分析第38-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第四章 65nm MOS器件时间介质击穿效应的可靠性研究第41-55页
    4.1 MOS器件的时间介质击穿效应第41页
    4.2 时间介质击穿效应退化的基本原理第41-43页
        4.2.1 时间介质击穿效应的退化过程第41-42页
        4.2.2 时间介质击穿效应退化机理第42-43页
    4.3 时间介质击穿效应退化的测量第43-45页
    4.4 65nm MOS器件时间介质击穿可靠性评价研究第45-54页
        4.4.1 实验测试仪器及样品第45-46页
        4.4.2 温度系数测量与加热平台温度设置第46-48页
        4.4.3 时间介质击穿效应测量第48-52页
        4.4.4 数据处理与分析第52-54页
    4.5 本章小结第54-55页
第五章 总结与展望第55-57页
    5.1 全文总结第55页
    5.2 后期工作展望第55-57页
参考文献第57-61页
致谢第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:基于博弈论的无线传感器网络信道分配及节能优化研究
下一篇:新疆民族地区中小学双语教师评价的问题与对策研究