摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-15页 |
1.1 研究背景与意义 | 第8-12页 |
1.1.1 深亚微米器件带来的可靠性问题 | 第9-11页 |
1.1.2 MOS器件界面态特性的研究意义 | 第11-12页 |
1.2 国内外研究现状及发展趋势 | 第12-14页 |
1.2.1 深亚微米器件可靠性研究现状 | 第12-13页 |
1.2.2 MOS器件界面态特性研究现状 | 第13-14页 |
1.3 论文的主要内容和章节安排 | 第14-15页 |
第二章 基于电荷泵技术的MOS器件界面态分析 | 第15-26页 |
2.1 电荷泵技术原理 | 第15-16页 |
2.2 运用电荷泵技术测量界面态密度 | 第16-19页 |
2.2.1 电荷泵技术的三种测量方法 | 第17-18页 |
2.2.2 电荷泵技术准确测量的影响参数分析 | 第18-19页 |
2.3 电荷泵测量试验结果与分析 | 第19-25页 |
2.3.1 实验样品和测试条件 | 第19-20页 |
2.3.2 实验数据处理和结果分析 | 第20-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 65nm MOS器件热载流子效应的可靠性研究 | 第26-41页 |
3.1 MOS器件的热载流子效应 | 第26-27页 |
3.2 热载流子效应退化的基本原理 | 第27-29页 |
3.2.1 热载流子效应的退化过程 | 第27页 |
3.2.2 热载流子效应的注入及损伤机制 | 第27-29页 |
3.3 热载流子效应退化的测量 | 第29-31页 |
3.3.1 直流应力测试方法 | 第29页 |
3.3.2 测试方案 | 第29-31页 |
3.4 65nm MOS器件热载流子可靠性评价研究 | 第31-40页 |
3.4.1 实验测试仪器及样品 | 第32页 |
3.4.2 测试应力条件设置 | 第32-35页 |
3.4.3 热载流子效应测量 | 第35-38页 |
3.4.4 数据处理与分析 | 第38-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 65nm MOS器件时间介质击穿效应的可靠性研究 | 第41-55页 |
4.1 MOS器件的时间介质击穿效应 | 第41页 |
4.2 时间介质击穿效应退化的基本原理 | 第41-43页 |
4.2.1 时间介质击穿效应的退化过程 | 第41-42页 |
4.2.2 时间介质击穿效应退化机理 | 第42-43页 |
4.3 时间介质击穿效应退化的测量 | 第43-45页 |
4.4 65nm MOS器件时间介质击穿可靠性评价研究 | 第45-54页 |
4.4.1 实验测试仪器及样品 | 第45-46页 |
4.4.2 温度系数测量与加热平台温度设置 | 第46-48页 |
4.4.3 时间介质击穿效应测量 | 第48-52页 |
4.4.4 数据处理与分析 | 第52-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
5.1 全文总结 | 第55页 |
5.2 后期工作展望 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
致谢 | 第61页 |