| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 应力技术与LDMOS器件的工作原理 | 第15-29页 |
| 2.1 应变硅技术 | 第15-22页 |
| 2.1.1 双轴应变技术 | 第16-19页 |
| 2.1.2 单轴应变技术 | 第19-22页 |
| 2.2 氮化硅盖帽层技术 | 第22-25页 |
| 2.2.1 氮化硅应力膜施加应力过程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 基于SiN应力膜的CMOS应变技术 | 第23-25页 |
| 2.3 LDMOS的工作原理 | 第25-28页 |
| 2.3.1 LDMOS的结构分析 | 第25-27页 |
| 2.3.2 CESL导致的应变LDMOS器件 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 槽形结构导致的LDMOS器件沟道应力反性 | 第29-45页 |
| 3.1 基于氮化硅薄膜的台阶结构 | 第29-30页 |
| 3.2 利用深槽结构调制LDMOS沟道应力性质 | 第30-40页 |
| 3.2.1 具有槽形应变LDMOS器件的结构模型 | 第30-32页 |
| 3.2.2 槽形结构参数对沟道应力的影响 | 第32-37页 |
| 3.2.3 其他参数对沟道应力的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 槽结构LDMOS漂移区的应力影响 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结根据 | 第44-45页 |
| 第四章 具有槽形结构的应变LDMOS器件电学特性 | 第45-54页 |
| 4.1 器件的沟道迁移率 | 第45-46页 |
| 4.2 器件的输出转移特性 | 第46-50页 |
| 4.2.1 常规应变LDMOS器件的输出转移特性 | 第46-48页 |
| 4.2.2 槽形结构的应变LDMOS器件的输出转移特性 | 第48-50页 |
| 4.3 器件的频率特性 | 第50-51页 |
| 4.4 器件的击穿与导通电阻特性 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第61页 |