基于多次离子注入工艺的DMOS器件设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 选题背景 | 第9页 |
| 1.2 功率DMOS的发展历程 | 第9-14页 |
| 1.2.1 元胞结构的发展历程 | 第9-12页 |
| 1.2.2 终端结构的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.3 槽栅DMOS的发展现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本课题的主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 槽栅DMOS的主要电学参数 | 第17-27页 |
| 2.1 基本结构 | 第17页 |
| 2.2 阈值电压 | 第17-18页 |
| 2.3 导通电阻 | 第18-21页 |
| 2.4 击穿电压 | 第21-22页 |
| 2.5 最大电流能力 | 第22页 |
| 2.6 栅电容和栅电荷 | 第22-25页 |
| 2.7 安全工作区 | 第25页 |
| 2.8 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 槽栅DMOS的工艺流程 | 第27-34页 |
| 3.1 微电子单项工艺 | 第27-29页 |
| 3.2 槽栅DMOS的工艺流程 | 第29-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 槽栅DMOS的设计与仿真 | 第34-52页 |
| 4.1 项目的目标 | 第34-37页 |
| 4.1.1 产品技术指标 | 第34页 |
| 4.1.2 现有产品的情况 | 第34-35页 |
| 4.1.3 改进方法 | 第35-37页 |
| 4.2 芯片结构设计 | 第37-40页 |
| 4.2.1 元胞结构设计 | 第37-40页 |
| 4.2.2 终端结构设计 | 第40页 |
| 4.2.3 工艺流程设计 | 第40页 |
| 4.3 槽栅DMOS的仿真 | 第40-48页 |
| 4.3.1 工艺仿真 | 第41-43页 |
| 4.3.1.1 终端结构工艺仿真 | 第41-42页 |
| 4.3.1.2 元胞结构工艺仿真 | 第42-43页 |
| 4.3.2 电特性仿真 | 第43-48页 |
| 4.3.2.1 终端结构电特性仿真 | 第44页 |
| 4.3.2.2 元胞结构电特性仿真 | 第44-48页 |
| 4.4 芯片版图设计 | 第48-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 流片结果分析 | 第52-55页 |
| 第六章 总结 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第59页 |
