| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.3 研究现状 | 第9-10页 |
| 1.4 薄膜导电机制 | 第10-12页 |
| 1.5 本课题研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第14-33页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 SrTiO_3表面导电层制备 | 第14页 |
| 2.3 薄脉冲激光沉积 | 第14-15页 |
| 2.4 光刻技术 | 第15-19页 |
| 2.5 原子力显微镜(AFM) | 第19-20页 |
| 2.6 电学性质 | 第20-32页 |
| 2.6.1 霍尔(Hall)测试 | 第20-22页 |
| 2.6.2 电流-电压(I-V)测试 | 第22-24页 |
| 2.6.3 电容-电压(C-V)测试 | 第24-27页 |
| 2.6.4 场效应(FET)测试 | 第27-30页 |
| 2.6.5 传输长度方法(TLM)测接触电阻 | 第30-32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Ar~+轰击SrTiO_3表面导电性质及其稳定性研究 | 第33-57页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 Ar~+轰击SrTiO_3表面的导电性质 | 第33-34页 |
| 3.3 SrTiO_3表面的导电性质 | 第34-41页 |
| 3.3.1 室温下Pt/SrTiO_3结构施主浓度 | 第35-36页 |
| 3.3.2 变温条件下Pt/SrTiO_3结构电学特性研究 | 第36-39页 |
| 3.3.3 SrTiO_3表面导电层性质 | 第39-41页 |
| 3.4 SrTiO_3表面导电层的稳定性研究 | 第41-46页 |
| 3.4.1 SrTiO_3表面导电层电阻随时间的变化关系 | 第41-43页 |
| 3.4.2 接触电阻与体电阻随时间的变化关系 | 第43-46页 |
| 3.5 HfO_2薄膜稳定SrTiO_3表面导电层的效果 | 第46-56页 |
| 3.5.1 沉积频率对薄膜的影响 | 第46-47页 |
| 3.5.2 沉积时间对薄膜的影响 | 第47-49页 |
| 3.5.3 室温下HfO_2薄膜稳定SrTiO_3表面导电层的研究 | 第49-55页 |
| 3.5.4 SrTiO_3表面导电层退火研究 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 金属/HfO_2/SrTiO_3结构场效应与漏电机制研究 | 第57-66页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 Ar~+轰击SrTiO_3晶体表面的输运性质 | 第57页 |
| 4.3 HfO_2薄膜漏电流研究 | 第57-58页 |
| 4.4 Pt/HfO_2/SrTiO_3变温场效应研究 | 第58-60页 |
| 4.5 Pt/HfO_2/SrTiO_3结构变温阻变机制分析 | 第60-65页 |
| 4.6 小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第73页 |
