| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 SOI技术简介 | 第7-10页 |
| 1.1.1 技术背景 | 第7-8页 |
| 1.1.2 SOI的发明及制备 | 第8-9页 |
| 1.1.3 SOI的优劣 | 第9-10页 |
| 1.2 LIGBT发展 | 第10-16页 |
| 1.2.1 发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2.2 LIGBT的国外进展 | 第11-13页 |
| 1.2.3 LIGBT国内发展 | 第13-16页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 阳极短路负阻效应 | 第17-28页 |
| 2.1 微电子技术原理 | 第17-23页 |
| 2.1.1 PN结 | 第17-18页 |
| 2.1.2 NPN三极管 | 第18-23页 |
| 2.2 阳极短路SOI LIGBT负阻效应 | 第23-26页 |
| 2.2.1 LDMOS模式 | 第24页 |
| 2.2.2 负阻区 | 第24页 |
| 2.2.3 LIGBT模式 | 第24-25页 |
| 2.2.4 负阳极短路LIGBT模型分析 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 阳极N+抬高SOI LIGBT器件设计和仿真 | 第28-44页 |
| 3.1 阳极N+抬高SOI LIGBT器件设计 | 第28-30页 |
| 3.2 阳极N+抬高的SOI LIGBT器件仿真 | 第30-43页 |
| 3.2.1 阈值电压 | 第30-33页 |
| 3.2.2 输出特性及负阻效应研究 | 第33-40页 |
| 3.2.3 开关特性研究 | 第40-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 介质隔离和结隔离相结合的SOI LIGBT设计与仿真 | 第44-58页 |
| 4.1 介质隔离和结隔离相结合的SOI LIGBT器件设计 | 第44-47页 |
| 4.2 介质隔离和结隔离相结合的SOI LIGBT器件仿真 | 第47-56页 |
| 4.2.1 阈值电压分析 | 第47-48页 |
| 4.2.2 输出特性仿真 | 第48-53页 |
| 4.2.3 关断特性仿真研究 | 第53-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第63-64页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
