| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 铁电材料与铁电薄膜 | 第9-12页 |
| 1.1.1 铁电体简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第10-11页 |
| 1.1.3 铁电薄膜 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管 | 第12-14页 |
| 1.3 辐射环境 | 第14-16页 |
| 1.3.1 空间辐射环境 | 第14-15页 |
| 1.3.2 核辐射环境 | 第15-16页 |
| 1.4 辐射对材料的损伤机理 | 第16页 |
| 1.4.1 位移效应 | 第16页 |
| 1.4.2 电离效应 | 第16页 |
| 1.5 铁电材料及铁电存储器的电离损伤研究现状 | 第16-18页 |
| 1.6 本论文的选题依据与主要内容 | 第18-20页 |
| 1.6.1 本论文的选题依据 | 第18页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 电离辐射环境下铁电层极化变化对MFIS-FET电学性能的影响 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 电离辐射环境下的铁电层极化模型 | 第20-22页 |
| 2.2.1 模型推导 | 第20-21页 |
| 2.2.2 模型验证 | 第21-22页 |
| 2.3 电离辐射环境下MFIS-FET电容和源漏电流公式的推导 | 第22-24页 |
| 2.3.1 MFIS-FET栅电压和电容 | 第22-23页 |
| 2.3.2 MFIS-FET源漏电流 | 第23-24页 |
| 2.4 不同总剂量辐射下MFIS-FET电学性能的模拟结果 | 第24-27页 |
| 2.4.1 模拟的初始条件 | 第24-25页 |
| 2.4.2 电离辐射总剂量对铁电层极化和硅表面势的影响 | 第25-26页 |
| 2.4.3 电离辐射总剂量对MFIS-FET电容和源漏电流的影响 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 电离辐射环境下硅表面电荷密度变化对MFIS-FET电学性能的影响 | 第29-35页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 电离辐射环境下硅表面电荷密度和电荷迁移率的推导 | 第29-31页 |
| 3.2.1 硅表面电荷密度 | 第29-30页 |
| 3.2.2 电荷迁移率 | 第30-31页 |
| 3.3 电离辐射环境下MFIS-FET的电容和源漏电流 | 第31页 |
| 3.4 不同辐射剂量率下MFIS-FET电学性能的模拟结果 | 第31-34页 |
| 3.4.1 模拟参数的选定 | 第31-32页 |
| 3.4.2 不同辐射剂量率下反型电荷迁移率和硅表面势 | 第32-33页 |
| 3.4.3 不同辐射剂量率下MFIS-FET电容和源漏电流 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 电离辐射环境下铁电层电荷输运对MFIS-FET电学性能的影响 | 第35-48页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 电离辐射环境下铁电层电荷输运模型 | 第35-37页 |
| 4.2.1 研究思路介绍 | 第35-36页 |
| 4.2.2 辐射诱导铁电层陷阱电荷 | 第36-37页 |
| 4.3 电离辐射环境下电荷输运模型 | 第37-43页 |
| 4.3.1 MFIS-FET的硅表面电荷 | 第37-39页 |
| 4.3.2 MFIS-FET的栅电压和电容 | 第39-40页 |
| 4.3.3 MFIS-FET的铁电层极化和源漏电流的推导 | 第40-43页 |
| 4.4 电离辐射环境下MFIS-FET的物理量模拟结果 | 第43-47页 |
| 4.4.1 模拟参数的选取 | 第43页 |
| 4.4.2 不同总剂量电离辐射下MFIS-FET的物理量 | 第43-45页 |
| 4.4.3 绝缘层对电子的阻碍率对MFIS-FET的物理量影响 | 第45-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 第5章 总结与展望 | 第48-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第48-49页 |
| 5.2 工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文和研究成果 | 第57页 |
