| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第12-17页 |
| 1.1.1 传统MOSFET的发展及其面临的问题 | 第12-14页 |
| 1.1.2 新沟道材料 | 第14-15页 |
| 1.1.3 新结构器件 | 第15-17页 |
| 1.2 课题的国内外研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 课题的主要研究内容及框架结构 | 第18-20页 |
| 第二章 二维材料纳米器件的输运理论 | 第20-28页 |
| 2.1 前言 | 第20页 |
| 2.2 半经典电子输运理论 | 第20-21页 |
| 2.3 Landauer-Büttiker输运理论 | 第21-23页 |
| 2.4 量子输运中的非平衡格林函数方法 | 第23-27页 |
| 2.4.1 格林函数的概念(场算符中的格林函数) | 第23-25页 |
| 2.4.2 紧束缚近似下的哈密顿量 | 第25-26页 |
| 2.4.3 基于量子输运的非平衡格林函数方程 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 二维MX_2纳米MOSFET的电子输运性能研究 | 第28-44页 |
| 3.1 前言 | 第28页 |
| 3.2 纳米MOSFET的非平衡格林函数模型 | 第28-30页 |
| 3.3 纳米MOSFET的量子建模 | 第30-34页 |
| 3.4 纳米MOSFET仿真软件NanoTACDViDES概述 | 第34-37页 |
| 3.4.1 NanoTACDViDES功能简介 | 第34-35页 |
| 3.4.2 NanoTACDViDES的基本物理描述 | 第35-37页 |
| 3.5 纳米MOSFET仿真计算结果与讨论 | 第37-42页 |
| 3.5.1 仿真参数器件结构示意图 | 第37页 |
| 3.5.2 器件仿真结果与分析 | 第37-42页 |
| 3.5.2.1 沟道长度对器件性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.5.2.2 掺杂浓度对器件性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.2.3 栅氧化层对器件性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 二维MX_2的新型效应晶体管的电子输运器件研究 | 第44-59页 |
| 4.1 前言 | 第44页 |
| 4.2 无结型晶体管(JLFET)基本工作原理 | 第44-46页 |
| 4.3 JLFET与传统反型MOSFET电子输运特性对比 | 第46-48页 |
| 4.4 二维MX_2型JLFET的电子输运特性分析 | 第48-54页 |
| 4.5 二维MX_2型TFET的电子输运特性分析 | 第54-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 多尺度的纳米器件仿真研究 | 第59-68页 |
| 5.1 前言 | 第59页 |
| 5.2 多尺度多能带建模 | 第59-62页 |
| 5.3 多尺度多能带石墨烯纳米器件仿真分析 | 第62-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 总结 | 第68-69页 |
| 6.2 不足与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第76页 |
