| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 功率器件的发展和现状 | 第10-12页 |
| 1.3 SOI技术在高压功率器件中的应用及研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 横向功率MOS硅极限与典型优化技术 | 第15-30页 |
| 2.1 横向功率MOS的耐压与硅极限 | 第15-16页 |
| 2.2 常规场板技术 | 第16-19页 |
| 2.2.1 金属场板 | 第17-18页 |
| 2.2.2 电阻场板 | 第18-19页 |
| 2.3 RESURF理论 | 第19-21页 |
| 2.3.1 RESURF结构 | 第19-20页 |
| 2.3.2 RESURF理论分析 | 第20-21页 |
| 2.4 介质槽技术 | 第21-24页 |
| 2.4.1 介质槽结构 | 第22页 |
| 2.4.2 改进的槽型技术 | 第22-24页 |
| 2.5 积累型结构 | 第24页 |
| 2.6 SOI材料的制备技术 | 第24-26页 |
| 2.7 SOI器件的耐压分析 | 第26-28页 |
| 2.7.1 薄层SOI结构 | 第27-28页 |
| 2.7.2 衬底刻蚀技术 | 第28页 |
| 2.8 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 积累型超低比导通电阻的U形栅LDMOS | 第30-49页 |
| 3.1 延伸栅场板技术 | 第30-33页 |
| 3.2 U形栅LDMOS器件结构及工作机理 | 第33-36页 |
| 3.3 U形栅LDMOS仿真结果讨论 | 第36-41页 |
| 3.3.1 击穿电压与比导通电阻 | 第36-39页 |
| 3.3.2 介电常数和栅介质厚度 | 第39页 |
| 3.3.3 漂移区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 U形栅LDMOS的工艺 | 第41-43页 |
| 3.5 U形栅MOSFET结构 | 第43-46页 |
| 3.6 U形栅MOSFET工艺流程 | 第46-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 具有延伸栅的薄层SOI LDMOS | 第49-58页 |
| 4.1 延伸栅LDMOS器件结构及工作机理 | 第49-52页 |
| 4.2 延伸栅LDMOS仿真结果讨论 | 第52-56页 |
| 4.2.1 击穿电压与比导通电阻 | 第52-54页 |
| 4.2.2 介电常数和栅介质厚度 | 第54-55页 |
| 4.2.3 漂移区长度对器件特性的影响 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-64页 |