| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 半导体功率器件简介 | 第9-11页 |
| 1.2 半导体功率器件LD MOS概述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 LDMOS的基本结 构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 LDMOS的击穿特 性 | 第13页 |
| 1.2.3 LDMOS的导通电 阻特性 | 第13-14页 |
| 1.2.4 LDMOS的优点和 应用 | 第14-15页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的主要工作和各章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 LDMOS漂移区的 优化 | 第18-35页 |
| 2.1 高压器件中的横向结终端技术 | 第18-21页 |
| 2.2 降低表面电场（RESURF ）技术 | 第21-25页 |
| 2.2.1 RESURF技术的工 作原理 | 第21页 |
| 2.2.2 RESURF LDM OS击穿过程 | 第21-23页 |
| 2.2.3 RESURF技术研究 进展 | 第23-25页 |
| 2.3 超结理论 | 第25-33页 |
| 2.3.1 超结功率器件的提出 | 第25-27页 |
| 2.3.2 超结器件中的电荷非平衡问题 | 第27-29页 |
| 2.3.3 衬底辅助耗尽效应的消除 | 第29-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 二维类SJ/RESURF LDMOS器件设计 | 第35-46页 |
| 3.1 二维类SJ/RESUR F LDMOS器件结构 设计 | 第35-37页 |
| 3.2 器件性能仿真分析 | 第37-41页 |
| 3.2.1 RESURF区的参数 优化 | 第37-39页 |
| 3.2.2 二维超结区的参数优化 | 第39-41页 |
| 3.2.3 衬底浓度的影响 | 第41页 |
| 3.3 器件制造工艺 | 第41-44页 |
| 3.3.1 Super-Junction制造工艺 | 第41-43页 |
| 3.3.2 器件工艺可行性分析 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 P柱区阶梯 掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件 | 第46-54页 |
| 4.1 器件结构分析 | 第46-49页 |
| 4.1.1 击穿电压的比较研究 | 第47-49页 |
| 4.1.2 导通电阻的比较研究 | 第49页 |
| 4.2 关键参数对器件性能的影响研究 | 第49-52页 |
| 4.2.1 P柱区阶梯 数的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 P柱区各阶 浓度差的影响 | 第51页 |
| 4.2.3 P柱区阶梯 位置的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 P柱阶梯层 的设计 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 附录1 攻读硕士 学位期间申请的专利 | 第62-63页 |
| 附录2 攻读硕士 学位期间参加的科研项目 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
