| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 高迁移率场效应管作为太赫兹信号响应的优势 | 第9页 |
| 1.3 高迁移率场效应管作为太赫兹信号响应的发展历史 | 第9-12页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 高迁移率晶体管的结构模型 | 第13-22页 |
| 2.1 高迁移率场效应晶体管的基本原理 | 第13-16页 |
| 2.2 高迁移率场效应晶体管理论模型 | 第16-18页 |
| 2.3 高迁移率场效应晶体管器件的I-V特性 | 第18-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 在HEMT中太赫兹信号响应理论模型 | 第22-37页 |
| 3.1 在HEMT中太赫兹信号Dyakonov-Shur响应模型 | 第22-23页 |
| 3.2 流体力学方程描述Dyakonov—Shur模型 | 第23-28页 |
| 3.3 Dyakonov-Shur响应模型的运用 | 第28-31页 |
| 3.4 在HEMT中太赫兹信号Romanov响应模型 | 第31-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 Dyakonov-Shur模型响应解析式的推导 | 第37-57页 |
| 4.1 主要理论公式计算 | 第37-43页 |
| 4.2 结果与分析 | 第43-56页 |
| 4.3 总结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 5.1 论文总结 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66页 |
