| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 射频LDMOS功率晶体管发展历程 | 第9页 |
| 1.2 射频LDMOS功率晶体管应用及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 S波段射频LDMOS器件结构设计与仿真 | 第12-28页 |
| 2.1 射频LDMOS器件结构 | 第12-14页 |
| 2.2 S波段器件结构设计 | 第14-15页 |
| 2.3 LDMOS工艺制备步骤 | 第15-16页 |
| 2.4 LDMOS工艺与器件仿真 | 第16-26页 |
| 2.4.1 阈值电压的优化 | 第16-18页 |
| 2.4.2 击穿电压的优化 | 第18-25页 |
| 2.4.2.1 漂移区长度优化 | 第20-22页 |
| 2.4.2.2 漂移区剂量优化 | 第22-25页 |
| 2.4.3 Shield长度的优化 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 S波段射频LDMOS晶体管版图设计与测试 | 第28-42页 |
| 3.1 S波段LDMOS器件版图设计 | 第28-30页 |
| 3.2 实验测试结果 | 第30-41页 |
| 3.2.1 LDD长度的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.2 Shield长度的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.3 LDMOS器件的BV蠕变测试 | 第36-37页 |
| 3.2.4 电容测试对比分析 | 第37-40页 |
| 3.2.5 射频特性测试 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 射频LDMOS晶体管建模分析 | 第42-62页 |
| 4.1 小信号等效电路模型 | 第42-43页 |
| 4.2 小信号等效电路参数提取 | 第43-52页 |
| 4.2.1 寄生参数提取 | 第44-48页 |
| 4.2.1.1 寄生电容C_(pg)、C_(pd)、C_(pgd)的提取 | 第44-46页 |
| 4.2.1.2 寄生电感L_g、L_d、L_s的提取 | 第46-47页 |
| 4.2.1.3 寄生电阻R_s、R_d、R_g的提取 | 第47-48页 |
| 4.2.2 本征参数的提取 | 第48-50页 |
| 4.2.3 LDMOS小信号参数初值提取与优化 | 第50-52页 |
| 4.3 LDMOS大信号模型建立 | 第52-61页 |
| 4.3.1 LDMOS大信号模型介绍 | 第52-54页 |
| 4.3.2 射频LDMOS直流I-V特性分析模型 | 第54-56页 |
| 4.3.3 射频LDMOS非线性电容特性分析模型 | 第56-59页 |
| 4.3.4 射频LDMOS非线性等效电路模型建立 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
