| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 高K金属栅的研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 高K材料的选择 | 第12-18页 |
| 1.2.1 高k材料的选择依据 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Hf基高k材料 | 第14-16页 |
| 1.2.3 引入高k材料后需要解决的问题 | 第16-18页 |
| 1.3 等效氧化层厚度减小的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 高K金属栅材料的制备方法 | 第20-30页 |
| 2.1 原子层沉积法 | 第20-25页 |
| 2.1.1 ALD的制备原理 | 第20-22页 |
| 2.1.2 ALD HfO_2的制备及分析 | 第22-24页 |
| 2.1.3 ALD TiN的制备及分析 | 第24-25页 |
| 2.2 化学气相淀积 | 第25-27页 |
| 2.2.1 CVD的制备原理 | 第26页 |
| 2.2.2 CVD制备MOSCAP STI | 第26-27页 |
| 2.3 物理气相淀积 | 第27-29页 |
| 2.3.1 溅射的制备原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 溅射法制备Al电极 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 HFO_2栅介质MOSCAP制备及电学特性测试 | 第30-41页 |
| 3.1 HFO_2栅介质MOSCAP制备工艺研究 | 第30-36页 |
| 3.1.1 硅的局部隔离工艺 | 第30-31页 |
| 3.1.2 高k金属栅的制备 | 第31-35页 |
| 3.1.3 栅电极的引出 | 第35-36页 |
| 3.2 HFO_2栅介质MOSCAP电学特性测试 | 第36-40页 |
| 3.2.1 MOSCAP的测试版图 | 第36-37页 |
| 3.2.2 电学特性的测试过程 | 第37-39页 |
| 3.2.3 数据提取过程 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 MOSCAP的电学特性及常见的EOT减小方法 | 第41-48页 |
| 4.1 MOS电容的基本电学特性 | 第41-45页 |
| 4.1.1 C-V特性分析 | 第41-43页 |
| 4.1.2 EOT、Vfb及Ig的影响因素 | 第43-45页 |
| 4.2 常见的EOT减小方法 | 第45-47页 |
| 4.2.1 采用复合高k材料 | 第45页 |
| 4.2.2 采用零界面层 | 第45-46页 |
| 4.2.3 采用氧吸除法 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 等效氧化层厚度减小工艺研究 | 第48-63页 |
| 5.1 HF基高K栅介质退火工艺研究 | 第48-56页 |
| 5.1.1 样品的制备 | 第48-49页 |
| 5.1.2 HfO_2栅介质MOSCAP C-V特性分析及机理研究 | 第49-50页 |
| 5.1.3 退火温度对HfO_2 MOSCAP EOT的影响及机理分析 | 第50-55页 |
| 5.1.4 样品的TEM分析 | 第55-56页 |
| 5.2 掺AL的HFO_2栅介质退火工艺研究 | 第56-60页 |
| 5.2.1 样品的制备 | 第56-57页 |
| 5.2.2 掺Al HfO_2 MOSCAP C-V特性分析及机理分析 | 第57-58页 |
| 5.2.3 退火温度对Al掺杂HfO_2 MOSCAP EOT的影响及机理分析 | 第58-60页 |
| 5.3 TIN的物理厚度对NMOSCAP EOT的影响 | 第60-62页 |
| 5.3.1 样品的制备 | 第60页 |
| 5.3.2 TiN厚度对HfO_2 MOSCAP EOT的影响及机理分析 | 第60-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
