| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第10-12页 |
| 1.2 横向功率MOS简介 | 第12-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 超结理论及电荷积累效应 | 第16-25页 |
| 2.1 超结理论 | 第16-18页 |
| 2.2 横向Super Junction | 第18-21页 |
| 2.3 电荷积累效应分析 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 具有超强积累效应的SOI SJ LDMOS研究 | 第25-46页 |
| 3.1 TEG SJ LDMOS器件结构及机理 | 第25-29页 |
| 3.1.1 结构特征 | 第25-26页 |
| 3.1.2 工作机理分析 | 第26-29页 |
| 3.2 TEG SJ LDMOS的导通与阻断特性分析 | 第29-32页 |
| 3.3 各结构参数对耐压与比导通电阻的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.1 高k介质的k值 | 第32-33页 |
| 3.3.2 顶层硅厚度 | 第33-34页 |
| 3.3.3 埋氧层厚度 | 第34-35页 |
| 3.4 TEG SJ LDMOS工艺实现 | 第35-37页 |
| 3.5 N柱区阶梯掺杂TEG SJ LDMOS研究 | 第37-41页 |
| 3.5.1 结构及机理 | 第37-38页 |
| 3.5.2 电荷非平衡 | 第38-39页 |
| 3.5.3 器件参数优化 | 第39-40页 |
| 3.5.4 工艺实现 | 第40-41页 |
| 3.6 P柱区阶梯掺杂TEG SJ LDMOS研究 | 第41-45页 |
| 3.6.1 结构及机理 | 第41-43页 |
| 3.6.2 电荷非平衡 | 第43页 |
| 3.6.3 参数分析 | 第43-44页 |
| 3.6.4 工艺实现 | 第44-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 具有延伸栅的SJ LDMOS研究 | 第46-65页 |
| 4.1 具有阶梯掺杂N-buffer的AEG SJ LDMOS | 第46-49页 |
| 4.1.1 结构特征 | 第46-47页 |
| 4.1.2 工作机理 | 第47-49页 |
| 4.2 AEG-SNB SJ LDMOS的导通与阻断特性分析 | 第49-53页 |
| 4.3 结构参数对耐压和比导通电阻的影响 | 第53-56页 |
| 4.3.1 N2区长度Ls | 第53-54页 |
| 4.3.2 N-buffer层厚度tb | 第54-55页 |
| 4.3.3 阶梯浓度?Ns | 第55页 |
| 4.3.4 电荷非平衡 | 第55-56页 |
| 4.4 AEG-SNB SJ LDMOS工艺实现 | 第56-57页 |
| 4.5 具有P埋层的AEG SJ LDMOS | 第57-64页 |
| 4.5.1 AEG-PB SJ LDMOS结构特征 | 第57-58页 |
| 4.5.2 AEG-PB SJ LDMOS工作机理 | 第58-61页 |
| 4.5.3 结构参数 | 第61-62页 |
| 4.5.4 电荷非平衡 | 第62-63页 |
| 4.5.5 工艺实现 | 第63-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
