| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10-13页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第13-16页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 TFET的工作原理 | 第18-25页 |
| 2.1 量子力学隧穿效应 | 第18-19页 |
| 2.2 带带隧穿 | 第19-20页 |
| 2.3 TFET的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.4 TFET的典型结构 | 第21-24页 |
| 2.4.1 典型横向TFET | 第21-22页 |
| 2.4.2 典型纵向TFET | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 提高TFET隧穿几率的方法和分析 | 第25-35页 |
| 3.1 不同晶向对载流子隧穿几率的影响 | 第25-28页 |
| 3.1.1 不同晶向的载流子有效质量 | 第25-26页 |
| 3.1.2 调整沟道晶向提升隧穿几率 | 第26-28页 |
| 3.2 利用应变技术调节禁带宽度 | 第28-34页 |
| 3.2.1 应变技术 | 第28-30页 |
| 3.2.2 施加单轴应力调节禁带宽度 | 第30-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 典型横向TFET性能仿真分析 | 第35-43页 |
| 4.1 TFET仿真物理模型 | 第35页 |
| 4.2 不同沟道晶向横向TFET | 第35-38页 |
| 4.2.1 沟道为<100>和<110>晶向的横向TFET | 第35-38页 |
| 4.2.2 不同沟道晶向对TFET与MOSFET影响的区别 | 第38页 |
| 4.3 应变横向TFET | 第38-42页 |
| 4.3.1 应力对横向TFET电学特性的影响 | 第38-41页 |
| 4.3.2 应力对TFET与MOSFET作用的区别 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 混合晶向槽栅结构TFET仿真分析 | 第43-59页 |
| 5.1 混合/非混合晶向槽栅TFET | 第43-46页 |
| 5.1.1 混合/非混合晶向槽栅TFET的结构 | 第43-45页 |
| 5.1.2 混合/非混合晶向槽栅TFET性能对比 | 第45-46页 |
| 5.2 混合晶向无应变槽栅TFET的仿真 | 第46-50页 |
| 5.2.1 源侧薄本征区厚度对器件性能的影响 | 第46页 |
| 5.2.2 漏侧薄本征区厚度对器件性能的影响 | 第46-47页 |
| 5.2.3 漏区掺杂浓度对器件性能的影响 | 第47-49页 |
| 5.2.4 金属栅在体硅内的高度对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.3 混合晶向应变槽栅TFET仿真 | 第50-55页 |
| 5.3.1 CESL应变技术对混合晶向槽栅TFET性能的影响 | 第50-52页 |
| 5.3.2 混合晶向应变槽栅TFET的进一步优化 | 第52-55页 |
| 5.4 具有电场集中的混合晶向应变槽栅TFET工艺流程初步设计 | 第55-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 6.1 本论文主要工作和贡献 | 第59-60页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65页 |
