| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 论文的主要框架及内容 | 第11-13页 |
| 第二章 ESD模型、测试方法及TCAD仿真 | 第13-29页 |
| 2.1 ESD模型与工业测试标准 | 第13-16页 |
| 2.1.1 人体模型 | 第13-14页 |
| 2.1.2 机器模型 | 第14-15页 |
| 2.1.3 器件充电模型 | 第15-16页 |
| 2.2 ESD失效类别与测量方法 | 第16-21页 |
| 2.2.1 突发性失效 | 第16-17页 |
| 2.2.2 软失效 | 第17-18页 |
| 2.2.3 传输线脉冲测试 | 第18-19页 |
| 2.2.4 ESD设计窗口及设计流程 | 第19-21页 |
| 2.3 ESD防护器件TCAD仿真 | 第21-28页 |
| 2.3.1 Sentaurus TCAD软件简介 | 第21-22页 |
| 2.3.2 Sentaurus TCAD软件3D仿真流程 | 第22-25页 |
| 2.3.3 典型ESD防护器件3D TCAD仿真与分析 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 LDMOS-SCR结构的高维持电压器件设计与研究 | 第29-39页 |
| 3.1 传统LDMOS-SCR器件防护原理 | 第29-31页 |
| 3.1.1 器件剖面及版图结构 | 第29-30页 |
| 3.1.2 器件3DTCAD仿真与分析 | 第30-31页 |
| 3.2 基于LDMOS-SCR器件的版图优化与研究 | 第31-35页 |
| 3.2.1 器件结构的设计与实现 | 第31-32页 |
| 3.2.2 器件3D TCAD仿真与分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3 器件的ESD性能测试与优化 | 第33-35页 |
| 3.3 新型高维持电压LDMOS-SCR器件设计与研究 | 第35-38页 |
| 3.3.1 器件结构及其等效电路 | 第35-37页 |
| 3.3.2 器件ESD防护特性的3D TCAD仿真与分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 双向SCR结构的高维持电压器件设计与研究 | 第39-50页 |
| 4.1 高压双向SCR结构的研究与分析 | 第39-43页 |
| 4.1.1 传统型双向SCR结构 | 第39-40页 |
| 4.1.2 P+跨桥型双向SCR结构 | 第40-41页 |
| 4.1.3 内嵌PMOS型双向SCR结构 | 第41-43页 |
| 4.2 改进型内嵌PMOS双向SCR结构的设计与研究 | 第43-47页 |
| 4.2.1 器件结构的设计与实现 | 第43-44页 |
| 4.2.2 器件结构的3D TCAD仿真与分析 | 第44-45页 |
| 4.2.3 器件ESD防护特性的对比与分析 | 第45-47页 |
| 4.3 内嵌叉指NMOS双向SCR器件的设计与研究 | 第47-49页 |
| 4.3.1 器件结构的设计与实现 | 第47-48页 |
| 4.3.2 器件结构的3D TCAD仿真与分析 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间取得的成果 | 第57页 |
