温度对NMOSFET单粒子瞬态电荷收集影响规律数值模拟
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 电荷收集的研究 | 第10-13页 |
| 1.2.1 电离能沉积 | 第10-11页 |
| 1.2.2 载流子收集机制 | 第11-13页 |
| 1.2.3 单粒子效应载流子收集示例 | 第13页 |
| 1.3 温度对单粒子瞬态的研究 | 第13-18页 |
| 1.4 敏感体模型的研究 | 第18-20页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 单粒子瞬态模拟方法 | 第21-31页 |
| 2.1 单粒子瞬态数值仿真模拟软件 | 第21-28页 |
| 2.1.1 模拟软件概述 | 第21-23页 |
| 2.1.2 半导体器件仿真基本方程 | 第23-24页 |
| 2.1.3 数值仿真物理模型 | 第24-28页 |
| 2.2 器件模型 | 第28-31页 |
| 第3章 单粒子电荷收集研究 | 第31-45页 |
| 3.1 MOS器件敏感体模型 | 第31-33页 |
| 3.2 不同温度下敏感体模型的变化 | 第33-36页 |
| 3.2.1 漏极敏感体模型建立 | 第33-35页 |
| 3.2.2 不同温度下敏感体模型分析 | 第35-36页 |
| 3.3 器件电荷收集 | 第36-44页 |
| 3.3.1 单因素变量对电荷收集的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.2 温度的耦合作用对电荷收集的影响 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 单粒子瞬态数值仿真的研究 | 第45-68页 |
| 4.1 不同的温度下LET值对瞬态电流影响规律 | 第45-52页 |
| 4.1.1 LET值对瞬态电流的影响规律 | 第45-46页 |
| 4.1.2 温度对瞬态电流的影响规律 | 第46-48页 |
| 4.1.3 温度与LET值对瞬态电流的耦合作用 | 第48-52页 |
| 4.2 不同温度下电场对单粒子瞬态的影响 | 第52-57页 |
| 4.2.1 电场对单粒子瞬态电流的影响规律 | 第52-54页 |
| 4.2.2 不同温度和电场下瞬态电流的变化规律 | 第54-57页 |
| 4.3 不同温度下入射角度对单粒子瞬态的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.1 入射角度对单粒子瞬态电流的影响规律 | 第57-58页 |
| 4.3.2 温度与入射角度对瞬态电流的耦合作用 | 第58-60页 |
| 4.4 结论分析 | 第60-67页 |
| 4.4.1 单因素变量分析 | 第60-65页 |
| 4.4.2 温度的协同作用分析 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
