| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 GaN材料优势 | 第13-14页 |
| 1.2 GaN基HEMT的工作原理 | 第14-16页 |
| 1.3 Si基AlInGaN/GaN HEMT发展现状 | 第16-21页 |
| 1.4 本文的工作安排以及创新点 | 第21-24页 |
| 第2章 材料生长表征及器件工艺测试 | 第24-36页 |
| 2.1 AllnGaN/GaN异质结的生长设备 | 第24-26页 |
| 2.2 AlInGaN/GaN异质结的测试表征方法 | 第26-30页 |
| 2.3 AlInGaN/GaN HEMT工艺设备简介 | 第30-32页 |
| 2.4 AlInGaN/GaN HEMT电学测试表征方法 | 第32-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 硅基高质量AlInGaN/AlN/GaN异质结外延生长研究 | 第36-64页 |
| 3.1 高质量的Si基GaN外延生长 | 第36-46页 |
| 3.2 AlInGaN势垒层的生长研究 | 第46-55页 |
| 3.3 AlN插入层中Ga的非故意并入及其抑制 | 第55-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 AlInGaN/AlN/GaN HEMT器件工艺研究 | 第64-82页 |
| 4.1 工艺流程简介 | 第64-69页 |
| 4.2 三种不同势垒层的电学数据对比 | 第69-74页 |
| 4.3 器件尺寸对于电学性能的影响 | 第74-77页 |
| 4.4 钝化层和栅介质的初步研究 | 第77-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 硅基AlInGaN/AlN/GaN HEMT栅极漏电研究 | 第82-98页 |
| 5.1 AlInGaN/GaN HEMT栅极漏电研究 | 第82-91页 |
| 5.2 AlInGaN/GaN异质结表面陷阱的分布和浓度 | 第91-96页 |
| 5.3 本章小结 | 第96-98页 |
| 第6章 硅基AlGa(In)N/AlN/GaN HEMT射频器件研究 | 第98-112页 |
| 6.1 GaN HEMT射频器件发展简介 | 第99-102页 |
| 6.2 Si衬底上高Al组分AlGaN/GaN | 第102-105页 |
| 6.3 利用表面活性剂(In)外延Al组分AlGaN势垒层 | 第105-110页 |
| 6.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 第7章 总结与展望 | 第112-118页 |
| 7.1 全文总结 | 第112-113页 |
| 7.2 未来展望 | 第113-118页 |
| 参考文献 | 第118-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第134-135页 |
