NMOSFET热载流子效应可靠性及寿命研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本课题的研究意义 | 第12-13页 |
| ·论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 HCI 效应及研究方法 | 第14-24页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·热载流子及热载流子效应概念 | 第14-17页 |
| ·热载流子效应的分析方法 | 第17-20页 |
| ·直流应力研究方法 | 第17-18页 |
| ·电荷泵测试的方法 | 第18-20页 |
| ·TCAD 模拟方法 | 第20页 |
| ·热载流子效应的经典物理模型 | 第20-24页 |
| ·幸运电子模型 | 第20-21页 |
| ·衬底电流模型 | 第21-22页 |
| ·衬底热载流子效应测量方法 | 第22-24页 |
| 第三章 HCI 效应参数测试系统设计 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·MOS 器件可靠性测试原理 | 第24-25页 |
| ·测试系统的硬件组成 | 第25-27页 |
| ·器件特性测量仪 | 第26页 |
| ·圆晶探针台 | 第26页 |
| ·数据采集卡 | 第26-27页 |
| ·软件设计 | 第27-30页 |
| ·LabVIEW 简介 | 第27页 |
| ·软件系统的总体设计 | 第27-30页 |
| ·系统初始化 | 第28-29页 |
| ·报警模块 | 第29页 |
| ·器件特性测量 | 第29页 |
| ·应力测量 | 第29-30页 |
| ·数据处理 | 第30页 |
| ·数据保存 | 第30页 |
| ·测量程序的主框图设计 | 第30-31页 |
| ·软件的界面设计及功能实现 | 第31-33页 |
| ·测量过程 | 第33-34页 |
| ·测量结果 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第四章 MOS 器件可靠性分析及寿命模型 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·MOS 器件的可靠性相关概念 | 第36-39页 |
| ·HCI 可靠性分析中常用的推测器件寿命模型 | 第39-43页 |
| ·Hu 模型 | 第39-40页 |
| ·衬底电流模型 | 第40-41页 |
| ·漏端电流模型 | 第41-43页 |
| 第五章 MOS 器件特性测量结果及寿命推测 | 第43-55页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·测量结果 | 第43-47页 |
| ·应力下ID-VD 器件特性曲线研究 | 第43-45页 |
| ·应力下ID-VG 器件特性曲线研究 | 第45-47页 |
| ·NMOS 器件的寿命预测 | 第47-51页 |
| ·改善MOS 器件HCI 的措施 | 第51-55页 |
| ·在工艺方面 | 第51页 |
| ·器件方面 | 第51-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第62页 |
