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基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第1章 绪论第7-14页
   ·MOSFET的发展概况第7页
   ·MOSFET的未来趋势和挑战第7-11页
     ·MOSFET的未来趋势第7-9页
     ·MOSFET面临的挑战第9-11页
   ·准二维分析法的意义和现状第11-12页
   ·本文的主要工作第12-14页
第2章 MOS晶体管的阈值电压与变分理论第14-24页
   ·MOSFET的阈值电压第14-17页
     ·MOSFET的阈值电压第14-16页
     ·LDMOS的阈值电压第16-17页
   ·变分法第17-21页
     ·变分法的积分问题第18-19页
     ·直接解法求变分问题第19-20页
     ·微分方程边值问题的变分解第20-21页
   ·BSIM模型第21-23页
   ·本章小结第23-24页
第3章 变分法求准二维MOSFET阈值电压第24-45页
   ·在MOSFET模型中变分法求阈值电压第24-34页
     ·MOSFET硅表面载流子的能量积分第24-27页
     ·用变分法求解能量积分第27-28页
     ·直接变分求解表面势第28-30页
     ·阈值电压和Φ_(smin)的求解第30-34页
   ·在LDMOS中的变分法求阈值电压第34-45页
     ·LDMOS硅载表面流子的能量积分第34-36页
     ·用变分法求解LDMOS的能量积分第36-38页
     ·直接变分求解LDMOS表面势第38-42页
     ·Φ_(smin)和阈值电压的求解第42-45页
第4章 仿真与计算第45-51页
   ·Medici仿真结果与理论计算第45-47页
     ·确定平带电压第45-46页
     ·Medici仿真与计算第46-47页
   ·基于BSIM模型的ADS仿真与Medici仿真以及理论计算第47-50页
   ·本章小结第50-51页
第5章 总结第51-53页
附录第53-57页
参考文献第57-60页
致谢第60页

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