基于VDMOS结构参数的TCAD模拟研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·电力电子器件的发展 | 第10页 |
| ·课题背景 | 第10-12页 |
| ·高压VDMOS 的发展 | 第10-11页 |
| ·VDMOS 的应用 | 第11-12页 |
| ·国内外发展现状 | 第12页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第12-13页 |
| ·课题的主要内容 | 第13-14页 |
| 第2章 VDMOS 结构与特性分析 | 第14-18页 |
| ·VDMOS 器件的工作原理 | 第14-15页 |
| ·元胞结构设计分析 | 第15-16页 |
| ·衬底以及外延层 | 第15页 |
| ·多晶硅栅 | 第15页 |
| ·P 区 | 第15页 |
| ·N+源区 | 第15-16页 |
| ·VDMOS 的基本特性 | 第16-17页 |
| ·转移特性 | 第16页 |
| ·击穿特性 | 第16页 |
| ·输出特性 | 第16页 |
| ·开关特性 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第3章 VDMOS 性能与结构剖析 | 第18-24页 |
| ·器件的电性能测试 | 第18-20页 |
| ·输出特性测试 | 第18页 |
| ·击穿特性测试 | 第18-19页 |
| ·转移特性测试 | 第19-20页 |
| ·器件去封装 | 第20-21页 |
| ·芯片表面分析 | 第21-22页 |
| ·芯片断面结构 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第4章 元胞结构工艺设计及仿真 | 第24-32页 |
| ·工艺仿真ATHENA 软件 | 第24-25页 |
| ·工艺流程设计 | 第25-26页 |
| ·VDMOS 工艺模拟 | 第26-30页 |
| ·沟道效应 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第5章 VDMOS 元胞的电学特性仿真 | 第32-43页 |
| ·器件仿真ATLAS 软件 | 第32-34页 |
| ·基本方程 | 第33页 |
| ·器件物理模型 | 第33-34页 |
| ·静态特性仿真结果 | 第34-36页 |
| ·击穿特性 | 第34页 |
| ·转移特性 | 第34-35页 |
| ·输出特性 | 第35-36页 |
| ·开关特性分析 | 第36-38页 |
| ·影响阈值电压的因素分析 | 第38-40页 |
| ·P 阱浓度对阈值电压的影响 | 第38-39页 |
| ·栅氧厚度对阈值电压的影响 | 第39-40页 |
| ·外界温度对器件的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
