基于BSIM4的SMIC 0.13um工艺RF MOSFET建模
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·MOSFET模型的发展 | 第9-11页 |
| ·论文的研究内容及结构 | 第11-13页 |
| 第二章 阈值电压模型BSIM4介绍 | 第13-28页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·BSIM4模型 | 第14-26页 |
| ·阈值电压模型 | 第15-18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-19页 |
| ·漏电流模型 | 第19-21页 |
| ·栅隧穿电流模型 | 第21-23页 |
| ·衬底电流模型 | 第23-24页 |
| ·本征电容模型 | 第24-25页 |
| ·外部电容模型 | 第25-26页 |
| ·BSIM4模型参数 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 直流参数提取和优化 | 第28-41页 |
| ·测试器件的设计 | 第28-29页 |
| ·模型参数提取方法 | 第29-31页 |
| ·器件测试数据的获取 | 第31-34页 |
| ·模型参数提取过程 | 第34-37页 |
| ·仿真与测试结果对比 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第4章 STI应力模型 | 第41-56页 |
| ·浅沟槽隔离技术(STI)概况 | 第41-42页 |
| ·STI应力对晶体管性能的影响 | 第42-45页 |
| ·STI应力对载流子迁移率的影响 | 第42-43页 |
| ·STI应力对能带的影响 | 第43-45页 |
| ·STI应力方程 | 第45-48页 |
| ·应力方程仿真结果分析 | 第48-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第5章 基于BSIM4的MOSFET射频模型 | 第56-71页 |
| ·射频模型概述 | 第56-57页 |
| ·RF仿真子电路模型 | 第57-58页 |
| ·测试数据的获取 | 第58-62页 |
| ·S参数 | 第58-59页 |
| ·器件测试环境及校准 | 第59-62页 |
| ·测试方案 | 第62页 |
| ·S参数去嵌结构及去嵌流程 | 第62-65页 |
| ·RF仿真电路模型参数的提取 | 第65-68页 |
| ·外围寄生电阻、电感的提取 | 第65-67页 |
| ·本征部分模型参数的提取 | 第67-68页 |
| ·衬底阻抗网络部分参数提取 | 第68页 |
| ·仿真与测试结果对比 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| ·总结 | 第71页 |
| ·展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录 | 第78页 |
