| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目次 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| ·纳米电子学研究背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·研究碳纳米管器件电-热问题的意义 | 第13-14页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 碳纳米管概述 | 第15-25页 |
| ·碳纳米管简介 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管基本性质 | 第16-20页 |
| ·碳纳米管结构 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管的电学性质 | 第17-20页 |
| ·碳纳米管互连及碳纳米管场效应管(CNTFET) | 第20-25页 |
| ·碳纳米管互连 | 第20-21页 |
| ·碳纳米管场效应管 | 第21-25页 |
| 3 碳纳米管互连中的电-热耦合分析 | 第25-47页 |
| ·碳纳米管互连的基本理论与概念 | 第25-32页 |
| ·电子平均自由程 | 第25-30页 |
| ·单壁碳纳米管的等效电阻 | 第30-32页 |
| ·单根碳纳米管互连的电-热耦合效应分析 | 第32-39页 |
| ·碳纳米管互连电-热耦合过程分析 | 第32-33页 |
| ·热传导过程 | 第33-34页 |
| ·电-热耦合求解过程 | 第34-35页 |
| ·电-热耦合结果分析 | 第35-39页 |
| ·碳纳米管阵列电-热耦合分析 | 第39-47页 |
| ·碳纳米管阵列的热击穿 | 第40-42页 |
| ·电-热效应对碳纳米管阵列信号延时的影响 | 第42-43页 |
| ·电-热效应对碳纳米管阵列信号串扰的影响 | 第43-47页 |
| 4 碳纳米管场效应管(CNTFET)的建模仿真 | 第47-75页 |
| ·CNTFET的NEGF模型 | 第48-51页 |
| ·非平衡格林函数方法(NEGF) | 第48-49页 |
| ·CNTFET的NEGF建模 | 第49-51页 |
| ·单壁CNTFET的半经典模型 | 第51-61页 |
| ·单壁CNTFET的电路模型 | 第52-53页 |
| ·单壁CNTFET电流源 | 第53-56页 |
| ·单壁CNTFET电容 | 第56-59页 |
| ·单壁CNTFET电阻 | 第59-61页 |
| ·双壁碳纳米管场效应管半经典模型 | 第61-66页 |
| ·双壁CNTFET的电路模型 | 第62-63页 |
| ·双壁CNTFET电流源 | 第63-64页 |
| ·双壁CNTFET电容 | 第64-66页 |
| ·双壁CNTFET电阻 | 第66页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第66-75页 |
| ·本征特性 | 第67-69页 |
| ·掺杂效应对CNTFET性能的影响 | 第69-70页 |
| ·屏蔽寄生效应对CNTFET性能的影响 | 第70页 |
| ·22nm技术节点 | 第70-75页 |
| 5 碳纳米管场效应管(CNTFET)的电-热耦合分析 | 第75-95页 |
| ·CNTFET模型 | 第76页 |
| ·CNTFET电-热耦合模型 | 第76-84页 |
| ·电子输运部分 | 第77-80页 |
| ·热传导部分 | 第80-83页 |
| ·自洽求解过程 | 第83-84页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第84-92页 |
| ·温度分布 | 第85-88页 |
| ·电流电压特性 | 第88-90页 |
| ·信号延时 | 第90-91页 |
| ·截止频率 | 第91-92页 |
| ·结论 | 第92-93页 |
| ·模型缺陷与改进 | 第93-95页 |
| 6 总结与展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 作者简历 | 第101页 |